Wyniki wyszukiwana dla hasla 201030Image0056 Laboratorium Elektroniki cz I 3 42 42 I500- Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się silnLaboratorium Elektroniki cz I 3 622.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych Laboratorium Elektroniki cz I 3 82 3) stan nasycenia: IUqS I < |UP I, I Uds I > lUDsat I (inLaboratorium Elektroniki cz I 3 102 3. Konduktancja wejściowa gb - jest to konduktancja spolaryzowLaboratorium Elektroniki cz I 3 122 • sprawność ą zawierająca się w granicach od 3 do 15% (6.21) gLaboratorium Elektroniki cz I 3 142 ratury rośnie energia kinetyczna nośników, a więc maleje czas Laboratorium Elektroniki cz I 3 IOZ Warto zauważyć, że cxi rośnie ze wzrostem prądu anodowego lA, Laboratorium Elektroniki cz I 3 182 Istnienie skończonego czasu narastania tr wynika z opóźniająceLaboratorium Elektroniki cz I 3 202 Rys. 11.5. Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiterowLaboratorium Elektroniki cz I 3 222 r r9Laboratorium Elektroniki cz I 3 242 CMRR jest najczęściej wyrażany w decybelach, czyli: 242 CMRR [Laboratorium Elektroniki cz I 3 262 TYRYSTORY BTP 2/50 Parametry podstawowe Uorm V powtarzalneLaboratorium materiałoznawstwa8 96 4.2.3» Wykonanie szlifu Wykonanie szlifu wymaga następująoyoh opLaboratorium PTC3 -12- mocą następującej trójki {b,p,c}, gdzie b, p oraz c oznaczać będą odpowiedniLaboratorium PTC3 -22-3. Wykrywanie uszkodzeń Pomimo przestrzegania zasad poprawnego montowania ukłLaboratorium PTC3 Ćwiczenie 3 (UK)Układy kombinacyjne - proste układy sterujące1. Laboratorium PTC3 -42- Funkcje wywoływane przez poszczególne klawisze w trybie wypełniania i sprawdLaboratorium PTC3 -52- A, B, Rys. 4.12. Realizacja jednobitowego sumatora z wykorzystaniem elementóLastScan1 j/t Md. _Auiur ^gUfiK A24/3°° *bf. 1 29LastScan555 gaHMas: • • * U-? O" 3-Ał l *c«i 3‘/-.*-l >11 IMl 4 tł i» l 1:Wybierz strone: [
24 ] [
26 ]
