Wyniki wyszukiwana dla hasla IMG00013 Img00023 (2) 27 staje się jonem ujemnym, mającym całkowicie zapełnioną zewnętrzną powłokę elektronowImg00024 (2) 28 Podobne wiązania występują między dwoma atomami tlenu (rys. 1.24-1). Nie zapełnione Img00025 (2) 29 troujemności — mamy wtedy do czynienia z wiązaniem czysto jonowym. W większości przyImg00026 (2) 30 sobą, może być jedynie objaśniany tym, że obok sił przyciągających istnieją również Img00027 (2) 31 Stabilna konfiguracja układu odpowiada minimum jego energii, co ma miejsce przy odleImg00028 (2) 32 W gazach i cieczach cząsteczki nie są ze sobą związane stacjonarnymi, trwałymi wiązaImg00029 (2) 33 międzycząstkowymi cząsteczki gazu w chaotycznym ruchu cieplnym zderzają się ze ścianImg00030 3 r Rys. 1.33-1. Mod le uproszczone schematy kilku komórek elementarnych: a) AO; b) A2; c) Img00031 35 lecz powoduje powstanie dodatkowych odmian sieci. W ten sposób powstaje 14 typów sieci, Img00032 36 Jeśli wyobrazimy sobie, że atomy mają kształt kul, to w każdej sieci przestrzennej wypełImg00033 37 Promień atomowy dla większości metali zawiera się w granicach 0,12...0,15 nm, a parametrImg00034 38 1.39. Wiązania kowalencyjne, charakterystyczne dla półprzewodnikówImg00035 39 i wrzenia, mała twardość i wytrzymałość, duża ściśliwość. Kryształy cząsteczkowe sąImg00036 40 energię swobodną. Im większą energię swobodną ma dana faza w określonych warunkach, tym Img00037 a) b) c) Rys. 1.46-1. Kolejne fazy procesu krystalizacji: 1 — zarodek kryImg00038 42 sieci przestrzennej. W temperaturze krystalizacji (krzepnięcia) następuje silny wzrost sImg00039 43 i zwana temperaturą krzepnięcia lub topnienia. W tej temperaturze obie fazy: ciekła i stImg00040 44 międzywęzłowe, które zajęły pozycje w lukach, opuszczając węzły sieci na skutek drgań ciImg00041 45 Rys. 1.51—1. Dyslokacje: a) krawędziowa, b) śrubowa 1.52. Do najważnieImg00042 46 to, że warunkiem podwyższenia wytrzymałości metalu jest albo usunięcie wszelkich nieprawWybierz strone: [
29 ] [
31 ]
