Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 9
Laboratorium Elektroniki cz I
4 24 3.    Skale na osiach współrzędnych powinny być
Laboratorium Elektroniki cz I
5 powered byMi sio!III. PROGRAMY I INSTRUKCJE DO ĆWICZEŃ Ćwiczenie 1
Laboratorium Elektroniki cz I
6 28    ^ u n exp -1l<Pr j(1.1) będące wyrażenie
Laboratorium Elektroniki cz I
7 30 Rys. 1.2. Charakterystyki prądowo-napięciowe diod wykonanych z
Laboratorium Elektroniki cz I
8 32 fu-i iO exp "I m cpT J (1.8) gdzie: Rs - rezysta
Laboratorium Elektroniki cz I 0 36 z germanu (tylko dla zastosowań, gdzie ważna jest mała wartość
Laboratorium Elektroniki cz I 1 381.2.6. Diody impulsowe (przełącznikowe) Diodami impulsowymi nazy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 40 2. Temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKUz ((3) -
Laboratorium Elektroniki cz I 3 42 42 I500- Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się siln
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 5 461.4.    Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakter
Laboratorium Elektroniki cz I 6 48 -    Oś prądowa naszej charakterystyki odpowiada
Laboratorium Elektroniki cz I 7 Ćwiczenie 2TRANZYSTOR BIPOLARNY (części) 2.1. Cel ćwiczenia Celem
Laboratorium Elektroniki cz I 8 52 zystor zawsze działa jednakowo, niezależnie od układu włączenia
Laboratorium Elektroniki cz I 0 56 Następuje kompensacja prądu nośników mniejszościowych w bazie (
Laboratorium Elektroniki cz I 1 58 strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 3 622.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych
Laboratorium Elektroniki cz I 4 64 4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT,
Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE “ <Pt ln 1B + ^CS (1 ” al)f    aN) IesO

Wybierz strone: [ 3 ] [ 5 ]