Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz II 3
Laboratorium Elektroniki cz II 4 226 227 U0 =RIC =RICS Rys. 11.5. Inne rozwiązanie układowe przet
Laboratorium Elektroniki cz II 0 278 W dalszych rozważaniach będziemy korzystać z uogólnionego po
Laboratorium Elektroniki cz I
3 22 tego zadania poniżej zestawiono najważniejsze zalecenia i wskaz
Laboratorium Elektroniki cz I 3 42 42 I500- Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się siln
Laboratorium Elektroniki cz I 3 622.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych
Laboratorium Elektroniki cz I 3 82 3) stan nasycenia: IUqS I < |UP I, I Uds I > lUDsat I (in
Laboratorium Elektroniki cz I 3 102 3. Konduktancja wejściowa gb - jest to konduktancja spolaryzow
Laboratorium Elektroniki cz I 3 122 • sprawność ą zawierająca się w granicach od 3 do 15% (6.21) g
Laboratorium Elektroniki cz I 3 142 ratury rośnie energia kinetyczna nośników, a więc maleje czas
Laboratorium Elektroniki cz I 3 IOZ Warto zauważyć, że cxi rośnie ze wzrostem prądu anodowego lA,
Laboratorium Elektroniki cz I 3 182 Istnienie skończonego czasu narastania tr wynika z opóźniające
Laboratorium Elektroniki cz I 3 202 Rys. 11.5. Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiterow
Laboratorium Elektroniki cz I 8 212 gdzie: R = RQ + (Ri II R2 II ^we)i Rwe = hue + h2ieZE ~ hne dl
Laboratorium Elektroniki cz I 3 222 r    r9
Laboratorium Elektroniki cz I 3 242 CMRR jest najczęściej wyrażany w decybelach, czyli: 242 CMRR [
Laboratorium Elektroniki cz I 3 262 TYRYSTORY BTP 2/50 Parametry podstawowe Uorm V powtarzalne
Laboratorium Elektroniki cz I 3 42 42 I500- Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się siln
Laboratorium Elektroniki cz I 3 42 42 I500- Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się siln
Laboratorium Elektroniki cz I 3 222 r    r9
Laboratorium Elektroniki cz I 3 262 TYRYSTORY BTP 2/50 Parametry podstawowe Uorm V powtarzalne

Wybierz strone: [ 4 ] [ 6 ]