Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 2
Laboratorium Elektroniki cz I 3 622.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych
Laboratorium Elektroniki cz I 4 64 4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT,
Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE “ <Pt ln 1B + ^CS (1 ” al)f    aN) IesO
Laboratorium Elektroniki cz I 6 68 Rys. 3.2. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie OE R
Laboratorium Elektroniki cz I 7 70 Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istni
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE 74 Def
Laboratorium Elektroniki cz I 0 76 3.    Przedstawić i omówić charakterystyki staty
Laboratorium Elektroniki cz I 1 78 Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi » Ubemi3.6.
Laboratorium Elektroniki cz I 3 82 3) stan nasycenia: IUqS I < |UP I, I Uds I > lUDsat I (in
Laboratorium Elektroniki cz I 4 84 w przypadku kanału typu p odpowiednio napięcie Uos ze znakiem -
Laboratorium Elektroniki cz I 5 86 86 Pmax Uds 08SZAR ODCIĘCIA U0smax mzmzpzzzzzzzm. Rys. 4.4. Doz
Laboratorium Elektroniki cz I 6 88 Przedstawione zależności obowiązują dla szpilkowego rozkładu ko
Laboratorium Elektroniki cz I 7 90 2.    Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej Id
Laboratorium Elektroniki cz I 8 Ćwiczenie 5TRANZYSTOR POLOWY TYPU MIS5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwic
Laboratorium Elektroniki cz I 9 94 -    kanał typu n - UDs > O, Ugs ^ 0. Ubs ^ O
Laboratorium Elektroniki cz I 0 96 co prowadzi do zmian rezystancji tego kanału. W efekcie zostaje
Laboratorium Elektroniki cz I 1 98 Rys. 5.2. Charakterystyki przejściowe tranzystorów NMOS z kanał
Laboratorium Elektroniki cz I 3 102 3. Konduktancja wejściowa gb - jest to konduktancja spolaryzow
Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7.    Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem

Wybierz strone: [ 4 ] [ 6 ]