Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz II 1 Laboratorium Elektroniki cz I 1 21811.7. Literatura 1. T. Zagajewski: Układy ele21428 Laboratorium Elektroniki cz I 1 178 Po skokowej zmianie napięcia polaryzującego diodę w kier66917 Laboratorium Elektroniki cz I 1 238 Pobór mocy Prądy pobierane z obydwu źródeł zasilających 41332 Laboratorium Elektroniki cz I 1 18 przyrządów pomiarowych, błędy metody pomiarowej, oddziały147 - Praca zbiorowa: Laboratorium maszyn elektrycznych. Cz. I, II, III, IV, V.Laboratorium Elektroniki cz I 0 powered byMi sio!II. PRZEBIEG POMIARÓW W LABORATORIUM ELEKTRONIKI Laboratorium Elektroniki cz I 1 18 przyrządów pomiarowych, błędy metody pomiarowej, oddziaływania Laboratorium Elektroniki cz I 1 381.2.6. Diody impulsowe (przełącznikowe) Diodami impulsowymi nazyLaboratorium Elektroniki cz I 1 58 strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wyLaboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE — <Pt I11 _ Ib + lcs(l~oti) + 1Es(1~ctN) (3.1) •esO ~ aLaboratorium Elektroniki cz I 1 78 CC Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi i UBEsai3Laboratorium Elektroniki cz I 1 98 Rys 5 2 Charakterystyki przejściowe tranzystorów NMOS z kanałemLaboratorium Elektroniki cz I 8 T asm-* ii nr X = (6.12) 113 A" ap _W_ Laboratorium Elektroniki cz I 1 Rys. 6.5. Charakterystyki widmowe fotorezystorów wykonanych z CdS Laboratorium Elektroniki cz I 1 138 gdzie: A - stała materiałowa niezależna od temperatury, T - teLaboratorium Elektroniki cz I 1 158 158 159 7.7. Literatura 3. Określenie wpływu temperatury na włLaboratorium Elektroniki cz I 1 178 Po skokowej zmianie napięcia polaryzującego diodę w kierunku zLaboratorium Elektroniki cz I 1 198 Rys. 11.4. Analiza pracy tranzystorowego wzmacniacza rezystancLaboratorium Elektroniki cz I 8 212 gdzie: R = RG + (R, II R2 II Rwe), Rwe = hue + h2ieZE = hn0 dlLaboratorium Elektroniki cz I 1 218 11.7. Literatura 1. T. Zagajewski: Układy elWybierz strone: [
5 ] [
7 ]
