Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz II 3 47156 Laboratorium Elektroniki cz I 3 82 3) stan nasycenia: IUqS I < |UP I, I Uds I > lUDsat147 - Praca zbiorowa: Laboratorium maszyn elektrycznych. Cz. I, II, III, IV, V.Laboratorium Elektroniki cz I 0 powered byMi sio!II. PRZEBIEG POMIARÓW W LABORATORIUM ELEKTRONIKI Laboratorium Elektroniki cz I 3 22 tego zadania poniżej zestawiono najważniejsze zalecenia i wskazLaboratorium Elektroniki cz I 3 42 Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się silnie domiesLaboratorium Elektroniki cz I 3 622.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych Laboratorium Elektroniki cz I 3 82 3) stan nasycenia: IUgs I < IUPI, | Uds I Laboratorium Elektroniki cz I 3 102 3. Konduktancja wejściowa gb - jest to konduktancja spolaryzowLaboratorium Elektroniki cz I 8 T asm-* ii nr X = (6.12) 113 A" ap _W_ Laboratorium Elektroniki cz I 3 122 • sprawność ą zawierająca się w granicach odLaboratorium Elektroniki cz I 3 142 ratury rośnie energia kinetyczna nośników, a więc maleje czas Laboratorium Elektroniki cz I 3 l l 163 dU, napięcia anodowego (wyzwalanie stromościowe wartości nLaboratorium Elektroniki cz I 3 202 b) Rys. 11.5 Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiterLaboratorium Elektroniki cz I 8 212 gdzie: R = RG + (R, II R2 II Rwe), Rwe = hue + h2ieZE = hn0 dlLaboratorium Elektroniki cz I 3 222 .U. ss s — -- —— 23 —Laboratorium Elektroniki cz I 3 242 CMRR jest najczęściej wyrażany w decybelach, czyli: CMRR [dB] Laboratorium Elektroniki cz I 3 262TYRYSTORY BTP 2/50 Parametry podstawowe Uqrm V powtarzalne Laboratorium Elektroniki cz I 3 142 ratury rośnie energia kinetyczna nośników, a więc maleje czas Laboratorium Elektroniki cz I 3 IOZ Warto zauważyć, że cxi rośnie ze wzrostem prądu anodowego lA, Laboratorium Elektroniki cz I 3 182 Istnienie skończonego czasu narastania tr wynika z opóźniająceWybierz strone: [
5 ] [
7 ]
