Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 7
Laboratorium Elektroniki cz I 8 112 bezpośredni przeskok elektronu z pasma przewodnictwa do pasma
Laboratorium Elektroniki cz I 9 114 114 auF ■ v‘ 3P .w. auF " V Im auF V 3E ix •
Laboratorium Elektroniki cz I 0 5. Sprawność energetyczna ą. - parametr charakteryzujący sprawność
Laboratorium Elektroniki cz I 1 s 118 Rys. 6.5. Charakterystyki widmowe fotorezystorów wykonanych
Laboratorium Elektroniki cz I 2 120 Rys. 6.7. Zależność prądu fotoelektrycznego fotodiody lF od na
Laboratorium Elektroniki cz I 3 122 • sprawność ą zawierająca się w granicach od 3 do 15% (6.21) g
Laboratorium Elektroniki cz I 4 124 totyrystorze zawiera się w granicach 103-104, a czasy przełącz
Laboratorium Elektroniki cz I 5 126 30°
Laboratorium Elektroniki cz I 6 128 Parametry techniczne transoptora dzielą się na trzy grupy: par
Laboratorium Elektroniki cz I 8 132 Rys. 6.17. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk staty
Laboratorium Elektroniki cz I 9 134 Rys. 6.21. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk wyjśc
Laboratorium Elektroniki cz I 0 1366.7. Literatura 1.    J. Cieślak: Półprzewodniko
Laboratorium Elektroniki cz I 1 138 gdzie: A - stała materiałowa niezależna od temperatury, T - te
Laboratorium Elektroniki cz I 2 140 W zakresie tym koncentracje nośników mniejszościowych są propo
Laboratorium Elektroniki cz I 3 142 ratury rośnie energia kinetyczna nośników, a więc maleje czas
Laboratorium Elektroniki cz I 4 144 7.2.4. Złącze p-n Wykonane w materiale półprzewodnikowym złącz
Laboratorium Elektroniki cz I 5 146 charakteryzowany za pomocą temperaturowego współczynnika wzglę
Laboratorium Elektroniki cz I 6 148 nośników. W związku z tym wyrażenie na temperaturowy współczyn
Laboratorium Elektroniki cz I 8 152 kres napięć stabilizacji rzędu 6 V - 8 V, co pokrywa się z min
Laboratorium Elektroniki cz I 9 154 Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza UEb w funkcji temperat

Wybierz strone: [ 5 ] [ 7 ]