Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 9 Laboratorium Elektroniki cz I 1 158 3. Określenie wpływu temperatury na właściwości tranzystorów bLaboratorium Elektroniki cz I 2 Ćwiczenie 8BADANIE TYRYSTORA8.1. Cel ćwiczenia CLaboratorium Elektroniki cz I 3 IOZ Warto zauważyć, że cxi rośnie ze wzrostem prądu anodowego lA, Laboratorium Elektroniki cz I 4 Charakterystyki anodowe zależą od temperatury. Przy wzroście tempeLaboratorium Elektroniki cz I 5 166 anodowy, a następnie po kilku ns załączymy go ponownie, to, jeLaboratorium Elektroniki cz I 6 168 BYP660 51 fi, Rys. 8.7. Źródła impulsów prostokątnych w stanowLaboratorium Elektroniki cz I 7 170c) d) Rys. 8.12. Zasada wyznaczania charakterLaboratorium Elektroniki cz I 8 172 leży doprowadzić do bramki prąd Igt i zwiększyć prąd tyrystoraLaboratorium Elektroniki cz I 0 1768.6. Tematy do opracowania 1. &nbLaboratorium Elektroniki cz I 1 178 Po skokowej zmianie napięcia polaryzującego diodę w kierunku zLaboratorium Elektroniki cz I 2 180 - diody o małym czasie opadania tf, stosowane do formowania baLaboratorium Elektroniki cz I 3 182 Istnienie skończonego czasu narastania tr wynika z opóźniająceLaboratorium Elektroniki cz I 4 184 6. Czy wartości czasów przełączeń diod i traLaboratorium Elektroniki cz I 5 186 Przebiegi te ustawiamy, wykorzystując niezależne od siebie regLaboratorium Elektroniki cz I 7 190 190 lj *o Generator - 1kHz Zasilacz obwodu kolektora Rys.Laboratorium Elektroniki cz I 8 19Z 10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epilaLaboratorium Elektroniki cz I 0 196 W praktyce najszersze zastosowanie ma układ OE, przede wszystkLaboratorium Elektroniki cz I 1 198a) b) c) Rc=const Ucc/, Ic/ cC = const Ucc <Ucc<Uc&Laboratorium Elektroniki cz I 2 200 Przy optymalnym, ze względu na zniekształcenia, doborze punktuLaboratorium Elektroniki cz I 3 202 Rys. 11.5. Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiterowWybierz strone: [
6 ] [
8 ]
