Wyniki wyszukiwana dla hasla skany039 skany037 4 przełączenia diody jak na rys.4.2a. Stały prąd przewodzenia diody w tym układzie jest rówskany038 5 5 Rys.4.6. Odpowiedź napięciowa diody sterowanej dodatnim impulsem prądowym W tym przypadskany039 * * 64.3. Przebieg ćwiczenia 1) . Do złącz NK modułu TM3 należy doprowadzić sygnał z generaskany040 1 5. DIODY SPECJALNE 5.1. Diody stabilizacyjne Diody stabilizacyjne pracują w zakresie reweskany041 TWUZ = (5.8) gdzie: AUZ - średnia wartość zmian Uz, AT- dopuszczalny zakres temperatury praskany042 stąd (5.13) A Us 1+ " + " (5.14)Ws R, K _ A us l + K + K * rz Rl. Jako że zawsze skany043 Anar: ;100 mA Rys.5.3. Układ do pomiarów charakterystyki iy. /,.(//«) diod stabilizacyjnychskany044 5 wsteczną (rys.5.5). Jest to zatem odwrócenie funkcji złącza - bardzo użyteczne w detekcjiskany045 Dla większych częstotliwości składowa aktywna impedancji staje się dodatnia, a fr0 osiąga wskany046 Rys.5.7. Warunki pracy diody tunelowej jako: (o) - wzmacniacza parametrycznego (Re * >v skany047 8 Drugim ważnym warunkiem stabilności układu pomiarowego jest wyeliminowanie generacji, któskany048 9 i < wspólnym wykresie charakterystyki diody, złącza emiterowego tranzystora i prostej skany049 16. PARAMETRY TERMICZNE DIODY6.1. Współczynniki temperaturowe prądu i napięcia Zmiany tempeskany050 2 *twid = rwi0 + uF f dii F dUr llT uJpdT UrdT) = TWI +-M 7F(/, --° Ur V * T(6.6) dUF IfZdTskany051 36.2. Rezystancja termiczna diody 6.2.1. Definicje podstawowe Jednym z głównych czynników dskany052 4 Taki przebieg charakterystyk w zakresie zaporowym obserwujemy dla typowych diod lawanowycskany053 5 Badanie tej zależności polega na pomiarze parametru termoczułego (w tym przypadku napięciskany054 6* , [i* R,(6.22) gdzie Uwe jest napięciem na nieodwracającym wejściu wzmacniacza operacyjnskany055 7 ■* - zmiany napięcia mierzymy przy pomocy oscyloskopu w punkcie 13. modułu TM2-RT, zaś zmskany0001 A t B-ca Zestaw 1. 1. Co to jest powierzchnia właściwa i j ak się ją określa? ł^j i ■■Wybierz strone: [
6 ] [
8 ]
