Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 4 Laboratorium Elektroniki cz I 2 240 W układzie z rys. 13.6 wymagany jest oczywiście stosowany dobóLaboratorium Elektroniki cz I 3 242 CMRR jest najczęściej wyrażany w decybelach, czyli: 242 CMRR [Laboratorium Elektroniki cz I 5 246 Dla klucza K otwartego mamy: U 0 = KuUj 246 Dla klucza K zwartLaboratorium Elektroniki cz I 6 248 dwustrumieniowy (np. typu DT 5100), generator funkcyjny (prostLaboratorium Elektroniki cz I 7 IV. D o d a t k iD1. OPIS TESTERA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH W Laboratorium Elektroniki cz I 8 252 cienkich przewodów. Połączenia z zewnętrznymi przyrządami pomiLaboratorium Elektroniki cz I 9 254D2. PARAMETRY WYBRANYCH ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DIODY 1. DLaboratorium Elektroniki cz I 0 2563. Diody stabilizacyjne Oznaczenie wyrobu Parametry graniczneLaboratorium Elektroniki cz I 1 2584. Transoptory Oznaczenie wyrobu Parametry dopuszczalne ParamLaboratorium Elektroniki cz I 2 260 BF 519, n-p-n, Si, epiplanarny, w.cz., średnia moc Parametr Laboratorium Elektroniki cz I 3 262 TYRYSTORY BTP 2/50 Parametry podstawowe Uorm V powtarzalneLaboratorium Elektroniki cz I 5 266 Multimetr V562 Funkcja Zakres Rozdzielczość „w” Kl[%] n BłądLaboratorium Elektroniki cz I 6 268Oscyloskop COS 2020 1. czułość: - Laboratorium Elektroniki cz I 0 36 z germanu (tylko dla zastosowań, gdzie ważna jest mała wartość Laboratorium Elektroniki cz I 3 42 42 I500- Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się silnLaboratorium Elektroniki cz I 8 52 zystor zawsze działa jednakowo, niezależnie od układu włączeniaLaboratorium Elektroniki cz I 8 Ćwiczenie 5TRANZYSTOR POLOWY TYPU MIS5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwicLaboratorium Elektroniki cz I 2 120 Rys. 6.7. Zależność prądu fotoelektrycznego fotodiody lF od naLaboratorium Elektroniki cz I 2 180 - diody o małym czasie opadania tf, stosowane do formowania baLaboratorium Elektroniki cz I 6 228 Ponieważ napięcie to sumuje się z napięciem na rezystorze Rc tWybierz strone: [
8 ] [
10 ]
