Wyniki wyszukiwana dla hasla 1tom173
1tom178 7. ELEKTRONIKA 358 Dla sygnałów nieokrcsowych określa się widmo gęstości energii E = J ,x2(f
1tom178 7. ELEKTRONIKA 358 Dla sygnałów nieokrcsowych określa się widmo gęstości energii E = J ,x2(f
1tom170 7. ELEKTRONIKA 342 Rys.7.13. Proces przełączania diody: ładunek przejściowy Rys. 7.14. Dioda
1tom171 7. ELEKTRONIKA 344 IS isJss i iJ Ld) Rys. 7.18. Tranzystory MOS: a) symbole graficzne: B pod
1tom172 7. ELEKTRONIKA 346 Rys. 7.21. Tranzystor unipolarny złączowy JFET: a) struktura PNFET; symbo
1tom173 7. ELEKTRONIKA 348 Stałe a,., [1 nazywa się współczynnikami wzmocnienia prądowec/o tranzysto
1tom174 7. ELEKTRONIKA 350 Rys. 7.26. Tyrystor triodowy (SCR): a) struktura p-n-p-n; A — anoda, K —
1tom175 7. ELEKTRONIKA 352 7. ELEKTRONIKA 352 Rys. 7.29. Charakterystyka napifciowo-prądowa obwodu g
1tom176 7. ELEKTRONIKA354 Fototranzystor ma zbliżoną konstrukcję do tranzystora zwykłego z tą różnic
1tom177 7. ELEKTRONIKA 356-im-n Rys. 7.31. Przykłady reprezentacji czasowej modeli sygnałów determin
1tom179 7. ELEKTRONIKA i 0 mAo ffl Aq T 2 Z J_ ____L. _I__ o Q    cj0-nj o>p