Wyniki wyszukiwana dla hasla DSCF4033 DSCF4048 U A4-OI P1*. • fc/WiDSCF4052 Jr-ri. t . f~? i r-• JHH&SSi >*73kr * /sM* V/ •>DSCF4054 • t 2J U. ? U*; | “f»*Sł l -*-J ■-* I Jr-P- I UUM DSCF4055 4tf >_ FłPO H^irn i w , jv’^WAlt 7 ■ t ji riĄ> ; - i p^-J-0 7-1.DSCF4056 PE_#"1*357 -iCMO ooi> f ; -T- -cor«» | ; 5^tiS-3? -I !łtó«w4 iDSCF4053 * i--tao. t§ .iAO] . ffóAuii ,k |A.V~ Wi«®S *!*f * i?** i . jtf* >ć‘o- T~4J ■ ; i>MI DSCF4057 % * 4 k T jVJłl2Ł . > 1 .-1DSCF4049 DSCF4033 ropo? ęjfe tH>y.am IB ropo? ęjfe tH>y.am IB B (wlon TDSCF4034 BzpuŚzczanie .....proces heterogeniczny pomiędzy ciałem stałym i cieczą, któremu towarzyszyDSCF4035 Podpuszczanie - proces heterogeniczny pomiędzy ciałem stałym i cieczą, któremu towarzyszy pDSCF4036 ROZPUSZCZANIE - proces heterogeniczny pomiędzy ciałem stałym i cieczą, któremu towarzyszy pDSCF4037 * %:j*i « «. . , •itonpMWjw* chewi*w»ipwwłfwtf*e*iDSCF4038 * Rozpuszczanie fizyczne * Rozpuszczanie chemiczne •> towarzyszy temu heterogeniczna reaDSCF4040 Rozpuszczanie Rozpad siatki krystalicznej na cząsteczki Energia siatki krystalicznej (StrukDSCF4042 (WWlNS* <Hg*#»*J&rr ,r.;: V~4*. -^Jrr £ WfNHHllHHMfeiMRozpuszczanie a mieszanie ■ i’DSCF4044 Rozpuszczanie a WARTEWKA => NASYCENIE WARSTEWKI => DYFUZJA DO ROZTWORUDSCF4047 ! - r . ifr’ 11 mmm r. . i . ■rii^riŁjtoiry ;DSCF4048 Rozpuszczanie substratu * wzrost rozpuszczalności f(T, c,) "mieszanier=f(cs) t w formiDSCF4049 Rozpuszczanie substratu i*ilg i w formie rozpuszczonej *wzrost rozpuszczalności f(T,Wybierz strone: {
2 ]
