wstęp
1. Wstęp .
wyznaczenie energii aktywacji dwóch półprzewodników ( materiału termistora i tranzystora ) metodą termiczną .
Zgodnie z teorią pasmową przewodnictwo elektryczne półprzewodników związane jest z ruchem elektronów w paśmie przewodnictwa i dziur w paśmie walencyjnym . W temperaturze zera bezwzględnego pasmo walencyjne jest całkowicie wypełnione elektronami ( brak dziur ) , natomiast pasmo przewodnictwa pozbawione jest elektronów . Generacja elektronów z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa może wystąpić pod wpływem dostarczonej energii zewnętrznej w postaci ciepła , lub promieniowania . Dzieje się tak dlatego , ponieważ energia ruchu pewnej ilości elektronów przekracza wartość przerwy energetycznej między tymi poziomami . Ilość takich elektronów rośnie więc ze wzrostem temperatury , więc koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa (n) i dziur w paśmie walencyjnym (p) zależna jest od stosunku T/DE , gdzie DE jest energią aktywacji zależną od rodzaju materiału i stopnia domieszkowania półprzewodnika . Zależność tą opisują równania :
n = noexp(-DEn/kT)
p = poexp(-DEp/kT)
gdzie :
k - stała Boltzmanna ,
T - temperatura w skali bezwzględnej ,
Dla półprzewodników samoistnych energie aktywacji elektronów i dziur są jednakowe i równe połowie przerwy energetycznej .
Dla półprzewodników domieszkowych , na przykład typu n , do pasma przewodnictwa wzbudzane są elektrony z poziomów donorowych. Zależność koncentracji elektronów w paśmie przewodnictwa od temperatury jest tutaj analogiczna jak dla półprzewodników samoistnych , z tym że DEn jest zbliżona do różnicy energii między poziomem donorowym a pasmem przewodnictwa.
Można stąd wyprowadzić wzór na zależność przewodnictwa elektrycznego półprzewodnika od temperatury niezależnie od jego typu :
s = soexp(-DE/kT)
gdzie DE jest odpowiednią dla danego półprzewodnika energią aktywacji .
Z równania tego wynikają dwa następne :
R = Roexp(DE/kT)
oraz
ln(R/Ro) = DE/kT
Z zależności tych wynika , że wykres ln(R/Ro) = f(1/T) dla półprzewodnika powinien być linią prostą , której nachylenie zależy od energii aktywacji .
Zakres ćwiczenia obejmuje więc wyznaczenie energii aktywacji dla materiałów termistora i tranzystora przy wzroście i spadku temperatury , poprzez pomiar rezystancji termistora i prądu płynącego przez złącze emiter - kolektor tranzystora .
metodyka pomiarów
2. Metodyka pomiarów .
2.1. Opis stanowiska pomiarowego .
Układ pomiarowy składa się z woltomierza , termometru , cyfrowego miernika oporu i elektronicznego miernika prądu . W skład układu wchodzi jeszcze zasilany z autotransformatora grzejnik w którym są umieszczone badane półprzewodniki .
2.2. Schemat układu pomiarowego .
3. Przebieg pomiarów .
Dokonano pomiaru rezystancji termistora i prądu tranzystora w temperaturze pokojowej . Następnie zwiększając temperaturę grzejnika zanotowano zmiany rezystancji i prądu przy jednakowych zmianach temperatury . Czynności te powtórzono przy spadku temperatury .
Przy pomiarach zwracano uwagę na to , aby temperatura nie rosła, ani nie malała zbyt szybko i umożliwiała łatwy i dokładny odczyt rezystancji i prądu .
Pomiary przeprowadzono dla zmian temperatury w zakresie od 26 - 165 oC , uzyskując zarówno przy jej narastaniu jak i spadku 10 wartości par wyników .
wyniki pomiarów
4. Wyniki pomiarów .
Wyniki pomiarów przedstawiono w tabelkach :
- dla nagrzewania
T oC 26 35 50 65 80
R kW 12.35 8.45 4.66 2.70 1.66
I nA 0.52 1.4 7.4 34 140
T oC 95 110 125 140 155
R kW 1.05 0.69 0.46 0.31 0.22
I nA 455 1250 3500 8700 20500
- dla chłodzenia
T oC 155 140 125 110 95
R kW 0.26 0.35 0.49 0.71 1.11
I nA 21000 10000 3900 1500 525
T oC 80 65 50 35 28
R kW 1.76 2.88 4.88 8.66 11.44
I nA 160 40 8.5 1.5 0.7
opracowanie wyników pomiarów
5. Opracowanie wyników pomiarów.
Związek między rezystancją R a temperaturą T wyrażony wzorem :
R = Ro exp( DE/kT )
możemy przedstawić w innej postaci:
ln ( R/Ro ) = DE/kT
Stąd :
DE 1
ln R = * + ln Ro
k T
Analogicznie możemy przedstawić związek między prądem I a tempe- raturą T :
DE 1
ln I= - + ln U - ln Ro
k T
gdzie : U - stałe napięcie między kolektorem a emiterem badanego tranzystora
Po zmianie wyników pomiarów bezpośrednich (R,T) oraz (I,T) na nowe zmienne (lnR,1/T) oraz (lnI,1/T) dopasowujemy proste metodą regresji liniowej.
Wyniki dopasowania przedstawiono w tabeli:
termistor tranzystor
a 3986.56 -10541.62
Da 17.42 84.78
nagrzewanie
b -3.89 34.65
Db 0.05 0.24
a 3882.14 -10552.52
Da 19.41 123.43
chłodzenie
b -3.54 34.80
Db 0.05 0.35
_
U
Ć!X#0 U rö_P: rr
#0 77
Ć!X#0
ö_P: Rö_P:
SS
22
ö_P: p@ &ö_P:
7p[p:
HH
H
H
p
ĘH
U
Ć!X#0 U pć@hS