Podstawowe ustawienia i zadawanie parametrów R, L, C w programie ATPDraw

ATP

SETTINGS

SIMULATION
delta_T: 4.0e-5 Simulation type
Tmax: 0.120 Time domain
Xopt: ? Frequency scan
Copt: ? Harmonic (HFS)

OUTPUT
Print freq: 100
Plot freq: 25

   
 !"#$"%%!!

&&%!!   

 &'(" )!* !+(,%!!#!!!  *

Krok czasowy rezultatów w pliku wynikowym: nazwa.pl4
delta_T * Plot freq=4.0e-5 * 25=100e-5=1e-3 [s]=1 [ms]

mamy więc

wyniki symulacji zapisane co 1 ms, co odpowiada idealnemu próbkowaniu
z częstotliwoscią: fp=1/(1e-3)=1000 Hz.

Zadawanie wartości rezystancji, pojemności i indukcyjności

Rezystancja:
R [Ω]

Pojemność:
Copt:0

C [µF]

Copt:50

ωC [µS]= ωC [mho*10

–6

]

Przykład 1. W programie ATPDraw zadać pojemność poprzeczną odcinka linii o dł. 1 km dla składowej zgodnej, która
wynosi 13 nF na dwa różne sposoby:
Copt:0

C=13e-9=13e-3*1e-6=0.013 [µF]

Copt:50

ωC=2*π*50*13e-9 [S]= π*100*13e-9 [S]= π*1.3*1e-6 [S]= π*1.3 [µS]= 4.0841 [µS]

Indukcyjność:
Xopt:0

L [mH]

Xopt:50

ωL [Ω]

Przykład 2. W programie ATPDraw zadać indukcyjność odcinka linii o dł. 1 km dla składowej zgodnej, która wynosi
0.00103 H na dwa różne sposoby:
Xopt:0

L=1.03*1e-3=1.03 [mH]

Xopt:50

ωL=2*π*50*1.03*1e-3 [Ω]=0.3236 [Ω]