1

Elekt/TB/ wz or y_TB

Tranzystory dzieli się ogólnie na: polowe i bipolarne.

W działaniu TB biorą udział dwa rodzaje nośników ładunku – elektrony i
dziury, natomiast w TP .....

TB jest elementem półprzewodnikowym, trójelektrodowym, umożliwiającym

wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Oraz TB jest elementem czynnym
pełniącym podstawową rolę w El-i.

Rozróżniamy dwa typy TB: NPN –głównymi nośnikami prądu wystepują
elektrony, zaś w tranzystorach PNP – głównie dziur.

Istnieją trzy podstawowe układu włączenia TB: rozróżnia się układ ze WE, ...

We wszystkich układach można zastąpić tranzystory npn na tranzystory pnp i na
odwrót, zmieniając równocześnie biegunowość napięć zasilającychi kondensatorów
elektrolitycznych.

Rozpatrzmy układ ze WE na TB typu NPN: jego parametry.

PODSTAWOWE WZORY dotyczące TB

Statyczny i małosygnałowy współczynniki wzmocnienia prądowego układu WE:

B

C

st

I

I

;

const

B

C

dI

dI

CE

U

(4.3)

Statyczny i małosygnałowy współczynniki wzmocnienia prądowego układu WB:

E

C

st

I

I

;

const

B

E

C

dI

dI

U

(wpr.)

oraz

1

;

1

(*)

Charakterystyka przejściowa

T

BE

U

U

CS

C

e

I

I

(4.1)

2

Transkonduktancja :

T

C

U

U

T

CS

const

U

BE

C

m

U

I

e

U

I

dU

dI

g

T

BE

CE

(4.2)

Charakterystyka wejściowa

T

BE

mU

U

BS

B

e

I

I

.

Różniczkowa rezystancja wejściowa

B

T

const

B

BE

be

I

mU

dI

dU

r

CE

U

(4.2)

Różniczkowa rezystancja wyjściowa

C

Y

const

C

CE

ce

I

U

dI

dU

r

BE

U

(4.3)

*Ze znajomości β transkonduktancji g

m

można obliczyć rezystancje wejściową:

m

BE

B

BE

be

g

dU

dI

dU

r

C

dI

(4.5)

Równania opisujące TB:

;

1

BE

be

B

dU

r

dI

(4.6)

CE

ce

BE

m

C

dU

r

dU

g

dI

1

.

(4.7)

r

u

ds

r

g u

ce

be

be

be

m

E

C

E

B

u

i

c

i

b

Rys.4.20. Model małosygnałowy tranzystora bipolarnego

w konfiguracji wspólnego emitera

Również niektóre autorzy używają małych liter dla zapisu powyższych równań:

3

;

1

BE

be

B

u

r

i

(4.6a)

CE

ce

BE

m

C

u

r

u

g

i

1

.

(4.7a)

r

u

ds

r

g u

ce

be

be

be

m

E

C

E

B

u

i

c

i

b

C

bc

C

be

Rys. 4.20. Uwzględnienie w modelu pojemności C

be

, C

bc

, umożliwia opis

tranzystora ze wzrostem częstotliwości sygnału

UKŁAD ZE WSPÓLNYM EMITEREM (WE)

Rezystancja wejściowa

r

we

= r

be

Wzmocnienie napięciowe

ce

C

m

ce

C

ce

C

m

u

r

R

g

r

R

r

R

g

k

0

(4.10)

W granicy, dla R

C

<< r

ce

otrzymujemy wzór (4.9)

C

m

u

R

g

k

0

(4.9).

Po podstawieniu

g

m

z (4.2)

T

C

C

u

U

R

I

k

0

(4.11)

Rezystancje wejściową

C

T

m

be

we

I

U

g

r

r

(4.13)

4

lub

ce

C

ce

C

ce

C

wy

r

R

r

R

r

R

r

.

(4.14)

Wzmocnienie napięciowe robocze k

U

:

L

ce

C

m

ce

L

C

L

ce

C

L

ce

C

m

wy

L

L

u

u

R

r

R

g

r

R

R

R

r

R

R

r

R

g

r

R

R

k

k

0

(4.15)

Rys.4.16. Małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora w układzie WE