1

Odpowiedzi do test: I kolokwium, semestr zimowy 2005,

Fizyka półprzewodników półprzewodników przyrządy półprzewodnikowe ETD3082W

Kierunek: Automatyka i Robotyka (eka)

dr inż. Bogusław Boratyński

1.

Model zastępczy Ebers’a Moll’a dla prądu stałego składa się z:

A. Pojemności i rezystancji
B. Diód i źródeł napięciowych

C. Diód i źródeł prądowych

→

D. Diód i pojemności

2.

Tranzystor w układzie wspólnej bazy ma wzmocnienie prądowe:

A. Zwykle większe od 1
B. Dokładnie równe 1
C. Trochę mniejsze niż 1
D. Zawsze mniejsze niż 0,9

3. Napięcie U

CE

na wyjściu tranzystora krzemowego w stanie nasycenia wynosi około:

A. 20 V
B. 0,2 V [ponieważ powinno być jak najmniejsze]
C. 1,4V
D. 16 V

4. Parametr małosygnałowy, transkonduktancja – g

m

dla układu WB podaje zależność pomiędzy:

A. Napięciem U

CB

i napięciem U

CE

B. Napięciem U

CB

i prądem kolektora

C. Napięciem U

CE

i prądem bazy

D. Napięciem U

EB

i prądem kolektora [

0

1

2

21

2

u

m

u

i

y

g

dla WB

EB

C

m

U

I

g

]

5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystora powoduje ładunek:

A. nośników mniejszościowych w bazie [opóźnienie mogą nastąpić w bazie i w warstwach zaporowych złącz E-B i B-

C (dla WB), najbardziej znaczące jest opóźnienie w bazie do której wstrzykiwane są nośniki mniejszościowe ]

B. n większościowych w bazie
C. n większościowych w złączu EB
D. n mniejszościowych w złączu EB

6. Parametr małosygnałowy h

22

tranzystora to inaczej:

A. Rezystancja wejściowa
B. Konduktancja wejściowa
C. Rezystancja wyjściowa
D. Konduktancja wyjściowa [ h

22

=I

2

/U

2

dla I

1

=0 ]

7. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie wspólny emiter przedstawia zależność:

A. I

C

= f(U

CB

) dla I

E

= const

B. I

C

= f(I

E

) dla I

B

= const

C. I

C

= f(U

CE

) dla I

B

= const [charak. wyjściowa: I

2

=f(U

2

) dla I

1

=const; dla WE: I

2

=I

c

U

2

=U

CE

I

1

=I

B

]

D. I

C

= f(I

B

) dla I

E

= const

8. Tranzystory polowe wykazują zależność prądu drenu od napięcia bramka-źródło:

A. Liniową
B. Eksponencjalną

C. Kwadratową [

2

)

1

(

P

GS

DSS

D

U

U

I

I

]

D. Logarytmiczną

9. Tranzystor JFET można wykorzystać (oprócz wzmacniacza) jako:

A. Sterowaną diodę
B. Regulowany rezystor [zmieniając szerokość kanału zmieniamy jego rezystancję]
C. Prostownik
D. Element świecący

10. Tranzystor MOSFET z kanałem wzbogaconym typu n wymaga polaryzacji:

A. U

DS

> 0

U

GS

< 0

B. U

DS

< 0

U

GS

< 0

C. U

DS

> 0

U

GS

> 0

→

D. U

DS

< 0

U

GS

> 0

2

11. Rezystancja wejściowa tranzystora MOSFET jest:

A. Mniejsza niż JFETa
B. Większa niż JFETa [....W tranzystorach JFET występuje warstwa zaporowa, której szerokość zależy od

przyłożonego napięcia. Występuje tu bardzo wysoka rezystancja wejściowa... ... W tranzystorach MOSFET
rezystancja wejściowa jest jeszcze wyższa... (źródło: katalog ELFA 53 :] ) ]

C. Jak bipolarny układ WB
D. Jak bipolarny układ WC

12. Monolityczny bipolarny układ scalony ma budowę optymalną dla efektywnej pracy:

A. Tranzystora pnp
B. Tranzystora npn [np: ze względu stosowania jak podłoża w tranzystorach bip. Z izolacją złączową krzemu typu p,

a co za tym idzie wyspa musi być typu n itd] →

C. Tranzystora JFET kanał p
D. Tranzystora JFET kanał n

13. Standardowe napięcia układów TTL: U zasilania, U

L

w stanie niskim, U

H

w stanie wysokim wynoszą odpowiednio:

A. 5V, 0V, 2,4V
B. 3,5V, 0,2V, 2,4V,
C. 5V, 0,2V 3,5V [U

zas

=5V±5% U

L

=0,2V (graniczna wartość U

L

< 0,4V) U

H

=3,5V (graniczna wartość U

H

> 2,4V)

D. 7V, 0V, 3,5V

14. Atomy Si i Ge w krysztale mają na powłoce walencyjnej: (w oryginale to pytanie jest trochę inaczej sformułowane!)

A. 2 elektrony i 2 dziury
B. 4 elektrony

C. 4 elektrony i 4 dziury

→

D. 8 elektronów [jeden atom Si lub Ge ma 4 elektrony na powłoce walencyjnej, tworząc kryształ wiąże się z czterema

sąsiednimi atomami i „otrzymuje od nich” dodatkowe 4 elektrony (po jednym od kazdego)]

15. Przewodnik samoistny to taki, w którym:

A. nie ma domieszki;
B. jest tylko domieszka donorowa;
C. jest tylko domieszka akceptorowa;
D. ND= NA;

16. Warstwa zubożona (dipolowa) powstaje, ponieważ są z niej wymiatane: (w oryginale to pytanie jest trochę inaczej

sformułowane!):

A. fotony
B. ??? ???
C. ??? ???
D. dziury i elektrony →

17. W obszarze zubożonym złącza p-n w równowadze, zawarty w nim elektryczny ładunek przestrzenny jest efektem(?)

powstania(?):

A. warstwy samoistnej
B. obszaru(?) bez(?) pola elektrycznego
C. napięcia dyfuzyjnego
D. polaryzacji w kierunku przewodzenia

18. Przepływ prądu w kierunku przewodzenia w złączu p-n jest wynikiem:

A. ??? nośników
B. unoszenia nośników
C. dyfuzji nośników [w kierunku przewodzenia płynie prąd dyfuzyjny nośników większościowych znacznie większy

od prądu unoszenia nośników mniejszościowych]

D. generacji nośników

19. Zmiana napięcia z 9,58V na 9,62V na diodzie Si przewodzącej stały prąd 1mA mogła wystąpić(?) pod wpływem:

A. obniżenia temperatury o 40°C
B. obniżenie temperatury o 20°C [wykres U=f(T) przy I=const ma nachylenie -2mV/°C] →
C. wzrostu temperatury o 40°C
D. wzrostu temperatury o 20°C

20. Właściwie(?) pracująca dioda waraktorowa(?) (pojemnościowa):

A. Jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia i ma dużą pojemność złączową
B. Jest spolaryzowana w kierunku zaporowym i wykazuje pojemność złączową [dioda waraktorwa wykorzystuje

zjawisko zmian pojemności warstwy zaporowej złącza p-n pod wpływem polaryzacji w kierunku wstecznym]

C. Jest spolaryzowany w kierunku zaporowym i wykazuje pojemność dyfuzyjną
D. Jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia i przewodzi duży prąd

21. Model zastępczy diody, słuszny dla małych sygnałów w.cz. składa się z:

A. Rezystancji i pojemności

→

B. Samych rezystancji
C. Rezystancji i indukcyjności
D. Samych pojemności

3

22. W ogniwie słonecznym siła elektromotoryczna [SEM](?) będzie miała najwyższą wartość wówczas gdy:

A. Ogniwo wykonane jest z Si i jest silnie oświetlane
B. Ogniwo wykonane jest z Si i jest słabo oświetlane
C. Ogniwo wykonane jest z GaAs i jest silnie oświetlane [ponieważ ogniwo słoneczne dział na zasadzie rozdzielania

nośników dostarczanych przez fotony w warstwie zaporowej złącza, siła elektromotoryczna jest tym większa im
większa jest bariera potencjału czyli im szersza warstwa zaporowa (Si=1,1eV GaAs = 1,4eV) oraz im silniej jest
oświetlane ogniwo]

D. Ogniwo wykonane jest z GaAs i jest słabo oświetlane

23. Hallotrony to przyrządy, w których sygnałem mierzonym na wyjściu czujnika jest:

A. Temperatura
B. Natężenia(?)
C. Pole magnetyczne
D. Napięcie [... Wspomniany potencjał, powstały wówczas między ściankami przewodnika, nazywany jest potencjałem

Halla. Mierząc go można m.in. określić wartość indukcji pola magnetycznego (podstawa działania hallotronu) ...
(źródło:

http://pl.wikipedia.org/wiki/Efekt_Halla_(klasyczny

) )]

24. Układ inwertera(?) COMS zbudowany jest z:

A. 2 tranzystory MOSFET z kanałem zubożanym
B. 2 tranzystory MOSFET z kanałem wzbogacanym [nie chodzi tu o komplementarność (jeden tranz. z kanałem p

drugi z kanałem n) tylko o to czy ich kanały są wzbogacane czy zubożane] →

C. 1 tranzystor kanał wzbogacany + 1 tranzystor kanał zubażony
D. dowolna kombinacja

25. Moc bierna(?) w układach COMS:

A. Nie zależy od częstotliwości (f) pracy
B. Rośnie liniowo z f

→

C. Rośnie z kwadratem(?) f
D. Maleje liniowo z f