1. Sieć krystalograficzna A3 jest oparta na układzie krystalograficznym:
heksagonalnym regularnym trójskośnym
2.Wymiana elektronów jest podstawą wiązania:
kowalencyjnego jonowego wodorowego
3.W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:
czterościenne sześciościenne ośmiościenne
4.Stopy metaliczne mogą być roztworami stałymi:
różnowęzłowymi międzywęzłowymi bezwęzłowymi
5.Obwody magnetyczne i magnesy trwałe wykonuje się z:
antyferromagnetyków diamagnetyków paramagnetyków
6.Materiał magnetyczny twardy powinien mieć dużą wartość:
stratności indukcji remanencji należenia koercji
7.Stal krzemowa zimnowalcowana jest:
diamagnetykiem ferromagnetykiem ferrytem
8.Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:
dodatni ujemny zerowy
9.Napylanie katodowe stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych:
hybrydowych cienkowarstwowych monolitycznych hybrydowych grubowarstwowych
1O. Materiały na rezystory precyzyjne powinny mieć małą wartość:
rezystywności TWR siły termoelektrycznej
11.Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym:
donorowo akceptorowo niedomieszkowanym
l2. Do metod domieszkowania materiałów półprzewodnikowych zalicza się:
implantację topienie strefowe transmutacje
13.Epitaksję z fazy gazowej oznacza się w skrócie:
MBE VPE LPE
14.Złącze p-n jest podstawowym elementem:
warystora fotodiody termistora
15.Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkim charakter:
elektronowy jonowy dipolowy
16.Rezonansowa i bezstratna jest polaryzacja:
dipolowa elektronowa atomowa
1.Sieci krystalograficzne Al i A2 są oparte na układzie krystalograficznym:
heksagonalnym regularnym trójskośnym
2.Wymiana elektronów jest podstawą wiązania:
kowalencyjnego jonowego wodorowego
3.W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:
czterościenne sześciościenne ośmiościenne
4.Dyslokacja krawędziowa w materiałach krystalicznych jest defektem:
punktowym liniowym powierzchniowym
5.0bwody magnetyczne i magnesy trwale wykonuje się z:
antyferromagnetyków diamagnetyków paramagnetyków
6.Material na magnesy trwale metaliczne to:
czyste żelazo stal hartowana stal krzemowa zimnowalcowana
7.Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest:
FeO Fe203 NiO
8.Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:
dodatni ujemny zerowy
9.Technologię sitodruku stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych:
hybrydowych cienkowarstwowych monolitycznych hybrydowych grubowarstwowych
1O. Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory:
techniczne precyzyjne grzejne
11. Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym:
donorowo akceptorowo niedomieszkowanym
12. Podstawową metodą oczyszczania materiałów półprzewodnikowych jest:
implantancja topienie strefowe transmutacja
13. Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie:
MBE CVD MOCVD
14. Złącze p-n jest podstawowym elementem:
warystora fotodiody termistora
15. Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkim charakter:
elektronowy jonowy dipolowy
16. Na straty w dielektrykach przy napięciu przemiennym ma wpływ ich:
przewodność indukcyjność polaryzacja
2. Wiązania międzyatomowe metaliczne polegają na:
polaryzacji cząsteczek uwspólnieniu elektronów wymianie elektronów
3. W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:
dwuścienne czterościenne ośmiościenne
4. Dyslokacja krawędziowa w materiałach krystalicznych jest defektem:
punktowym liniowym powierzchniowym
5. Obwody magnetyczne i magnesy trwałe wykonuje się z materiałów:
ferromagnetycznych ferrimagnetycznych paramagnetycznych
6. Materiał magnetycznie miękki powinien mieć małą wartość:
stratności indukcji nasycenia natężenia koercji
7. Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest:
FeO Fe203 NiO
8. Przewodność elektryczna metali ma charakter:
pozytonowy elektronowy jonowy
9. Na połączenia przewodzące w układach elektronicznych scalonych stosuje się:
aluminium miedz
karborund
10. Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory:
techniczne precyzyjne grzejne
11. Dziury są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym:
donorowo akceptorowo niedomieszkowanym
12. Topnienie strefowe materiałów półprzewodnikowych wiąże się z ich:
odparowaniem oczyszczaniem domieszkowaniem
13. Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie:
MBE CVD MOCVD
14. Temperaturowy współczynnik rezystancji materiałów półprzewodnikowych jest:
dodatni ujemny zerowy
15. W dielektrykach mogą występować następujące rodzaje polaryzacji:
dipolowa atomowa