LABFIZ01, Promieniowanie i struktura materii


PODBUDOWA TEORETYCZNA:

Dzieląc ciała ze względu na własności elektryczne, można wyróżnić:

W przewodnikach przepływ prądu możliwy jest dzięki elektronom lub „dziurom” (pustym miejscom po elektronach). Ruch dziur jest w rzeczywistości ruchem elektronów, które wypełniają wolną przestrzeń robiąc tym samym miejsce dla innych elektronów. W półprzewodnikach samoistnych (chemicznie czystych i nie posiadających żadnych domieszek) koncentracja dziur w paśmie walencyjnym jest równa koncentracji elektronów.

Jeżeli do idealnego kryształu półprzewodnika wprowadzimy domieszki w postaci innych atomów, jego przewodnictwo się zmieni. Wyróżniamy dwa rodzaje domieszek:

W półprzewodnikach mamy więc do czynienia z dodatnimi i ujemnymi nośnikami prądu elektrycznego. Przewodność właściwa zależy więc od koncentracji i ruchliwości nośników:

γ=e(nμn+pμp)

gdzie:

e - ładunek elektronu

n - koncentracja elektronów

p - koncentracja dziur

μn - ruchliwość elektronów

μp - ruchliwość dziur

Jeżeli płytkę w kształcie prostopadłościanu o wymiarach a, b, c wykonaną z półprzewodnika włączymy w obwód prądu stałego i umieścimy w stałym polu magnetycznym prostopadłym do płytki i kierunku prądu elektrycznego, to w kierunku poprzecznym powstanie różnica potencjałów UH zwana napięciem Halla.

0x01 graphic

Na nośniki w tej płytce działa siła Lorentza:

gdzie:

q - ładunek nośnika

v - wektor prędkości nośników

B - wektor indukcji magnetycznej

W sytuacji jak na rysunku wynosi ona:

Fx=qvyBz

Gdy pole elektryczne Ex równoważy siły Lorentza, to:

qEx= qvyBz

Gęstość prądu przepływającego przez płytkę:

jy=pqvy

Natężenie prądu:

Iy=bcjy=pqvybc

Napięcie Halla jest więc równe:

Tak więc napięcie Halla jest wprost proporcjonalne do stałej Halla RH, indukcji pola magnetyucznego Bz, natężenia prądu sterującego Iy i odwrotnie proporcjonalne do grubości płytki c (płytka powinna więc być jak najcieńsza). Takie płytki nazywane są hallotronami. Znajdują one zastosowanie w technice do pomiaru natężenia pól magnetycznych, pomiaru wielkości elektrycznych, a także w układach liczących i logicznych.

STANOWISKO POMIAROWE:

0x01 graphic

ZE - zasilacz prądowy elektromagnesu

A - amperomierz

T - teslomierz hallotronowy

HW - hallotron wzorcowy

EL - elektromagnes (P1, P2 - początki cewek; K1, K2 - końce cewek)

HM - hallotron mierzony

MD - model do pomiaru własności hallotronu

ZH - zasilacz prądowy hallotronu

V - woltomierz

RD - opornik dekadowy

PRZEBIEG POMIARU:

Po uruchomieniu zestawu pomiarowego wyzerowany został teslomierz wg instrukcji technicznej. W tym celu trzeba było oddalić hallotron wzorcowy na dużą odległość od elektromagnesu, aby nie wpływał on na wskazania teslomierza. Nstępnie hallotron wzorcowy został umieszczony między nabiegunnikami elektromagnesu, a oddalony został hallotron mierzony w celu dokonania symetryzacji elektrod hallotronu. Po ustawieniu zasilacza na prąd 20 mA i po ustaleniu się wskazań woltomierza, potencjometrem „zerowanie” w modelu MD doprowadziliśmy wskazania do minimum. Wykonaliśmy 12 pomiarów zmieniając wartość indukcji magnetycznej Bz co 100 mT.

Lp.

Bz [T]

UH [V]

1

1,4

0,64

2,28

2

1,3

0,597

2,296

3

1,2

0,554

2,308

4

1,1

0,507

2,304

5

1,0

0,462

2,31

6

0,9

0,417

2,316

2,285

7

0,8

0,369

2,306

8

0,7

0,323

2,303

9

0,6

0,274

2,283

10

0,5

0,223

2,23

11

0,4

0,178

2,225

12

0,3

0,131

2,183

WZORY I OBLICZENIA:

c=10-4m

Iy=0,02A

BŁĘDY (z pomiaru 2):

ΔUH=0,597⋅0,001+0,001=0,001597≈0,002V

Δc=0

metoda logarytmiczna:

ln(RH)=ln(UH)+ln(c)-ln(BZ)-ln(Iy)

metoda różniczkowa:

metoda Gaussa:

Lp.

1

2,28

-0,01

0,0001

2

2,296

-0,02

0,0004

3

2,308

-0,03

0,0009

4

2,304

-0,02

0,0004

5

2,31

-0,03

0,0009

6

2,316

2,28

-0,04

0,0016

7

2,306

-0,03

0,0009

8

2,303

-0,03

0,0009

9

2,283

0

0

10

2,23

0,05

0,0025

11

2,225

0,05

0,0025

12

2,183

0,1

0,01

WNIOSKI:

Pomiary były na tyle dokładne, że podczas obliczania błędów metodą Gaussa nie trzeba było odrzucać żadnych wyników z pomiarów. Jednak szacowane błędy były różne w zależności od metody ich wyznaczania. Błąd bezwzględny liczony metodą Gaussa był większy od błędu liczonego metodą różniczkową czy logarytmiczną. Metoda Gaussa jest o wiele bardziej pracochłonna, jednak wykazując większy błąd daje jaśniejszy pogląd na przeprowadzone pomiary (zawsze należy brać pod uwagę największy błąd).



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Nielaserowe promieniowanie optyczne materialy szkoleniowe
Lab 3 Badania struktury..., materiałoznawstwo i pokrewne
Oddziaływanie promieniowania jonizującego z materią
Struktura materiałów metalicznych, Akademia Morska -materiały mechaniczne, szkoła, Mega Szkoła
spoleczenstwo i jego struktura, Materia nauka, Wos
2b Struktura materialow Ceramiki
Oddziaływanie promieniowania jonizującego z materią
09 1 Struktura materiałowa BOM (INSTR15)
rentgenografia strukturalna, Materiały studia, Metody badań materiałów
Krystalografia struktura materiałów
2c Struktura materialow Polimery
TEKTO STRUKTURALNE, Materiały, Geologia, Tektonika
STRUKTURA MATERII
en promien, Elektrotechnika-materiały do szkoły, Fizyka
Atomowa struktura materii, SZKOŁA, fizyka
Metody badania struktury materi 2i
2Analiza struktury, materiały z roku 2011-2012, Semestr II, Statystyka opisowa - ćwiczenia

więcej podobnych podstron