LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI .
	TEMAT: Uk ady polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystor�w .

1. Pomiar zale
no
ci wybranych parametr�w tranzystora od temperatury .

tabela U_CE=5 V

temp.	Jc	=3mA		Jc=	1mA		Jc=	0.3mA
	UBE[V]	UBE[V]	o	UR [V]	UBE[V]	o	UR [V]	UBE[V]	o
30	2.5	0.75	171.4	1.31	0.71	166.1	0.89	0.68	142.8
45	2.3	0.7	187.5	1.18	0.66	192.3	0.8	0.63	176.4
60	2.16	0.68	202.7	1.13	0.64	204	0.77	0.61	187.5
75	2.06	0.65	212.8	1.08	0.61	212.7	0.73	0.58	200

Schemat po

cze
uk
adu do pomiar�w parametr�w tranzystora .

2.Pomiary sta
o
ci punktu pracy tranzystora w r�
nych uk
adach polaryzacji

a) Uk
ad z zasilaniem sta
ym pr
dem bazy .

Rc=10k R_B=746.1 k

temp .	UCE[V]	UR[V]	Jc[mA]
30	5	6	1
45	3.5	4.6	1.1
60	2.9	4.1	1.2
75	2.3	3.5	1.2

b) Uk
ad ze
r�d
em pr
dowym .

Rc=10k R_B=722.1 k Rc=13.7 k

temp	UR[V]	UC[V]	UE[V]	UCE[V]	Jc[mA]
30	6.3	5.3	0.3	5	1
45	6.4	5.4	0.8	4.6	1
60	6.44	5.46	1.07	4.39	0.98
75	6.54	5.56	1.29	4.27	0.98

Schemat po

cze
uk
adu pomiarowego do badania uk
ad�w polaryzacji tranzystora.

3.Pomiar
r�d
a pr
dowego .

temperatura	URJ[V]	UC[V]	Jc[mA]
30	10.06	9.81	0.25
45	10.04	9.79	0.25
60	10.02	9.77	0.25
75	10.01	9.76	0.25

WNIOSKI .

Pierwszym punktem
wiczenia by
pomiar zale
no
ci wybranych parametr�w tranzystora od temperatury .Pomiary zosta
y dokonane dla trzech punkt�w pracy tranzystora przy napi
ciu U_CE=5 V i trzech warto
ciach pr
du kolektora 3mA, 1mA , 0.3mA . Z wykresu wyra
nie wida

e napi
cie baza-emiter

przy wzro
cie temperatury maleje .Spadek napi
cia w temp. 75 ^o wynosi 0.1 mV co jest zgodne zdanymi podawanymi przez literatur
(ok. 2 mV/^oC) .Natomiast warto

wsp�
czynnika wzmocnienia _o ro
nie wraz ze wzrostem temperatury .

W dalszej cz

ci
wiczenia badali
my wp
yw temperatury na sta
o

punktu pracy tranzystora w r�
nych uk
adach polaryzacji .

W uk
adzie z zasilaniem sta
ym pr
dem bazy przy wzro
cie temp. napi
cie kolektor-emiter maleje a pr
d wzrasta co powoduje zmian
punktu pracy tranzystora i pogorszenie parametr�w uk
adu w kt�rym pracuje . Je
eli napi
cie kolektor-emiter spadnie poni
ej warto
ci U_CESAT (nasycenia) to tranzystor przejdzie do pracy w stanie nasycenia .

W uk
adzie ze sprz

eniem zwrotnym emiterowym nie mogli
my osi
gn

punktu pracy z powodu wadliwego jego dzia
ania i dlatego te
pomiary nie zosta
y dokonane .

Natomiast zale
no

parametr�w tranzystora od temperatury w uk
adzie ze
r�d
em pr
dowym jest prawie niezmienne ,gdy
napi
cie zmienia si
jedyne o 0,73V , a pr
d jest sta
y . Uk
ad ten jest skompensowany termicznie .

Obliczone w projekcie rezystory kolektora i emitera zosta
y sta
e natomiast warto

rezystora bazy zosta
a zmieniona na wi
ksz
gdy
tranzystor by
nasycony . Sytuacja taka mog
a by
spowodowana zmian
warunk�w pracy uszkodzeniem siatki krystalicznej pod wp
ywem ci
g
ych zmian temperatury) .

---