Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych 4 , ˙ukasz Czerlonek


Żmudziński Tomasz

WETI AiR

Gdańsk 13.12.1997

Ćwiczenie 54.

Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych.

Dane stanowiska.

8(nm)

N()8)

R [kS]

I[mA]

400

0,0066

3300

0,13

420

0,0235

6988

0,15

440

0,0609

3930

0,09

460

0,2700

1700

0,03

480

0,2290

883

0,02

500

0,3700

386

0,05

520

0,5460

128

0,09

540

0,7830

99

0,16

560

1,1200

72

0,24

580

1,5080

55

0,35

600

1,9200

45

0,47

620

2,3740

40

0,65

640

2,9120

36

0,88

660

3,6600

36

1,17

680

4,4200

37

1,53

700

5,3500

41

0,92

720

6,3200

51

2,42

740

7,3500

68

2,90

760

8,5200

93

3,58

780

9,8600

134

4,22

800

11,1000

194

4,90

820

12,5500

273

5,62

840

13,8300

400

6,52

860

15,1500

567

7,39

880

16,6500

760

8,25

900

18,0100

1305

9,09

t [s]

U [mv]

0,000

300

0,004

175

0,008

110

0,012

80

0,016

65

0,02

50

0,024

40

0,028

35

0,032

35

0,033

35

Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych.

Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych polega na wyznaczeniu ich czułości widmowych oraz czasu życia nadmiarowych nośników ładunku. W celu uproszczenia opisu przebiegu ćwiczenia podzielę go na dwie części.

1.Badanie czułości półprzewodnikowych przyrządów fotoelektrycznych.

Sygnałem S przyrządu fotoelektrycznego nazywa się wartość natężenia prądu lub napięcia pojawiającego się na jego wyjściu pod wpływem padającego promieniowania. Wielkość sygnału zależy od zakresu Λ długości fal padającego promieniowania, gęstości widmowej strumienia promieniowania ϕ(λ) oraz czułości widmowej fotodetektora C(λ):

.

Gęstość widmowa strumienia promieniowania ϕ(λ) związana jest z wielkością całkowitego strumienia φ(Λ) poprzez zależność:

.

Czułość widmowa fotodetektora C(λ) jest równa wartości sygnału pojawiającego się pod wpływem jednostkowego strumienia promieniowania monochromatycznego o długości fali λ.To zjawisko pozwala wyrazić czułość widmową wzorem:

gdzie: S(Δλ)- sygnał generowany pod wpływem danego strumienia promieniowania

φ(Δλ)- strumień promieniowania padający na fotodetektor.

Względną czułość widmową Cw(λ) wyraża się wzorem:

gdzie: Cmax - maksymalna czułość widmowa

C(λ) - czułość widmowa.

Do wyznaczenia czułości widmowej fotorezystora użyję poniższego układu:

Sygnał S(Δλ) wytwarzany przez fotorezystor obliczę z zależności:

gdzie: R(Δλ) - rezystancja fotorezystora oświetlonego światłem o zakresie długości fal Δλ.

Rc - rezystancja fotorezystora nieoświetlonego. Do wyznaczenia czułości widmowej fotodiody użyję układu:

0x01 graphic

Sygnał S(Δλ) wytwarzany przez fotodiodę obliczę z zależności:

gdzie: I(Δλ)- natężenie prądu wytworzonego przez fotodiodę oświetloną światłem o długości Δλ.

Ic - natężenie prądu wytworzonego przez fotodiodę nieoświetloną.

2.Wyznaczanie czasu życia nadmiarowych nośników ładunku.

Nośniki ładunku, których koncentracja odpowiada równowadze termicznej, nazywają się równowagowymi. Podczas wzbudzania półprzewodnika światłem powstają dodatkowe nośniki ładunku, zwane nośnikami nadmiarowymi. Podczas oświetlania w czasie Δt półprzewodnika światłem o niedużym natężeniu promieniowania Ee, to liczba powstałych w jednostce objętości nośników nadmiarowych (elektronów Δn i dziur Δp) będzie proporcjonalna do Ee, wyraża się ona wzorem:

gdzie: k - współczynnik pochłaniania światła

η - średnia liczba par elektron-dziura powstała przy pochłonięciu jednego kwantu światła,

h - stała Plancka

ν - częstotliwość fali światła.

Średni czas życia nośników nadmiarowych τ jest to średni czas, jaki upływa od momentu generacji nośników ładunku do ich rekombinacji.

Natężenie fotoprądu powstałego w wyniku powstania nadmiarowych nośników ładunku wyraża się zależnością:

gdzie: G - przewodność półprzewodnika

U - wartość przyłożonego napięcia.

Do wyznaczenia średniego czasu życia nośników nadmiarowych użyję układu:

0x01 graphic

Po uwzględnieniu zależności występujących w układzie natężenie fotoprądu mogę wyrazić wzorem:

gdzie: U(t) - napięcie mierzone oscylatorem

R - rezystancja opornika.

Przykładowe obliczenia :

Pomiar czułości widmowej fotorezystora:

-sygnał obliczam ze wzoru:

-ponieważ rezystancja fotorezystora nieoświetlonego była zbyt duża, aby zmierzyć ją

przy użyciu przyrządów dostępnych w laboratorium powyższy wzór redukuję do

postaci:

Otrzymujemy więc:

.

Czułość widmową obliczam ze wzoru :

Pomiar czułości widmowej fotodiody:

-sygnał obliczam ze wzoru : .

-mierzę Ic= -0,01 mA.

Otrzymuję więc:

Czułości widmowe odpowiednio wynoszą :

Otrzymane wyniki zestawiam w tabeli:

S ()8)

CW

8

Fotorezystor

Fotodioda

Fotorezystor

Fotodioda

400

0,30*10-6

0,00014

1,0000

1,0000

420

0,14*10-6

0,00016

0,1326

0,3210

440

0,25*10-6

0,00010

0,0910

0,0774

460

0,58*10-6

0,00004

0,0475

0,0070

480

1,13*10-6

0,00003

0,1077

0,0062

500

2,59*10-6

0,00006

0,1524

0,0076

520

7,81*10-6

0,00010

0,3116

0,0086

540

10,10*10-6

0,00017

0,2810

0,0102

560

13,90*10-6

0,00025

0,2701

0,0105

580

18,20*10-6

0,00036

0,2626

0,0113

600

22,20*10-6

0,00048

0,2521

0,0118

620

25,00*10-6

0,00066

0,2294

0,0131

640

2,78*10-6

0,00089

0,2078

0,0144

660

2,79*10-6

0,00118

0,1662

0,0152

680

2,70*10-6

0,00154

0,1332

0,0164

700

2,44*10-6

0,00093

0,0993

0,0082

720

1,96*10-6

0,00243

0,0676

0,0181

740

1,47*10-6

0,00291

0,0436

0,0187

760

10,80*10-6

0,00359

0,0275

0,0199

780

7,46*10-6

0,00423

0,0165

0,0202

800

5,15*10-6

0,00491

0,0101

0,0209

820

3,66*10-6

0,00563

0,0064

0,0211

840

2,50*10-6

0,00653

0,0039

0,0222

860

1,76*10-6

0,00740

0,0025

0,0230

880

1,32*10-6

0,00826

0,0017

0,0234

900

0,76*10-6

0,00910

0,0009

0,0238

Wyliczone dane przedstawiam na wykresie:

0x01 graphic

3.Pomiar średniego czasu życia nośników nadmiarowych:

Obliczam korzystając ze wzoru : .

Korzystam z metody najmniejszych kwadratów, przy czym przyjmuję :

x = t

y =

a=

b=.

Po obliczeniach otrzymuję:

a= 66,284 [s-1]

b= 1,835

r= 0,953,

Wyliczając otrzymuję:

Otrzymane wyniki przedstawiam na wykresie :

0x01 graphic

Obliczam błąd korzystając ze wzoru : ,

gdzie (n- liczba pomiarów).

Po obliczeniach otrzymuję : .

Ostatecznie: J= 0,015087"0,001083 [s].

Badam okres obrotu modulatora. Wynosi on : T = 0,156 [s].

Obliczam częstotliwość obrotów tarczy modulatora korzystając ze wzoru : f = T-1.

F=6,41 [Hz].

Bibliografia :

1).Praca zbiorowa:” I laboratorium z fizyki” .Wyd.PG. Gdańsk 1997

2).R.Resnick „Fizyka” PWN Warszawa 1996



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych 5 , LABORATORIUM FIZYCZNE
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych 1 , Pomiar pierwszy
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych, LAB 54, LABORATORIUM FIZYCZNE
Materiałoznawstwo, Badanie właściwości materiałów i przyrządów półprzewodnikowych, POLITECHNIKA LUBE
Badanie podstawowych właściwości materiałów i przyrządów półprzewodnikowych
Badanie podstawowych właściwości materiałów i przyrządów półprzewodnikowych
Badanie właściwości metali i półprzewodników w zal od temp, Fizyka
protokół Badanie podstawowych właściwości materiałów i przyrządów, Politechnika Lubelska, Studia, St
3b Właściwości optyczne półprzewodników
Korbutowicz,optoelektronika,Technologia wytwarzania półprzewodnikowych struktur optoelektronicznych
cw8?danie właściwości optycznych półprzewodników
Badanie własności prostowniczych diod półprzewodnikowych Wstęp
Przyrządy półprzewodnikowe (2)
badanie zaleźności temp oporu półprzewodnika, Politechnika Opolska, 2 semestr, Fizyka - Laboratorium
CWn12, 3 semestr, Przyrządy Półprzewodnikowe
metr1 - część1, PARAMETRY CHARAKTERYZUJĄCE WŁAŚCIWOŚCI PRZYRZĄDÓW POMIAROWYCH: 1 Nazwa przyrządu okr
Badania wybranych właściwości fizycznych i chemicznych wapna palonego

więcej podobnych podstron