Dioda prostownicza jest dwuzaciskowym, dwustanowym przyrządem pólprzewodnikowym z jednym złączem PN wytworzonym w strukturze krzemu, a jej elektrody to anoda i katoda. Dioda przewodzi prąd przy dodatnim napięciu między anodą a katodą nie przewodzi zaś przy polaryzacji przeciwnej.

Tranzystor jest przyrządem sterowalnym. Elektrodami głównymi tranzystora bipolarnego są; kolektor i emiter ,a elektrodą sterującą jest baza.

Tyrystor jest sterowalnym przyrządem półprzewodnikowym o strukturze czterowarstwowej PNPN z wyprowadzonymi elektrodami; anodą, katodą, bramką. Konstrukcja i sposób rozmieszczenia elektrody sterującej (bramki) na powierzchni płytki krzemowej ma zasadniczy wpływ na czas załączenia tyrystora.

Właściwości tranzystorów polowych MOSFET umożliwiają zarówno łączenie równoległe dużej liczby tranzystorów dyskretnych, jak i montowanie ich w postaci układu scalonego, który może zawierać do kilkudziesięciu tysięcy struktur MOSFET połączonych równolegle.

Diody prostownicze

Parametry i charakterystyki statyczne diod. Właściwości statyczne diody w ustalonych stanach pracy takich jak w stanie zwarciowym i stanie przewodzenia, przedstawia charakterystyka napięciowo-prądowa. Podstawową cechą diody jest jej działanie zaworowe przewodzenie prądu w jednym kierunku.

Stan zaworowy występuje przy ujemnej polaryzacji anody względem katody. W tym stanie dioda ma bardzo dużą rezystancję. Przy wzroście napięcia ujemnego na anodzie diody zwiększa się wartość prądu wstecznego .

Stan przewodzenia występuje przy dodatniej polaryzacji anody względem katody.

Diody szybkie charakteryzują się krótkim czasem odzyskiwania właściwości zaworowych i są przeznaczone do pracy w układach o dużej częstotliwości łączeń przy krótkich impulsach prądowych

Diody lawinowe wykazują zwiększoną odporność na przepływ prądu w kierunku wstecznym po przekroczeniu napięcia przebicia. Chwilowe dopuszczalne straty mocy w kierunku wstecznym mogą być porównywalne ze stratami mocy w stanie przewodzenia. Diody te są stosowane w układach przekształtnikowych, w których jest spodziewany duży poziom przepięć.

Diody unipolarne charakteryzują się niskim napięciem w kierunku przewodzenia bardzo krótkim czasem odzyskania właściwości zaworowych oraz niskim napięciem w kierunku wstecznym. Diody unipolarne mogą pracować ze zwiększoną dopuszczalną częstotliwością łączeń z uwagi na małe straty mocy.

Tranzystory bipolarne BJT są przyrządami półprzewodnikowymi o sterowaniu prądowym, w którym prąd kolektora jest sterowany prądem bazy. Przerwanie przepływu prądu jest wymuszane zanikiem prądu lub zmianą jego kierunku.

Tranzystor MOSFET jest przyrządem unipolarnym, w którym prąd przepływa przez strukturę tylko z udziałem jednego typu nośników ładunku – elektronów. Wiąże się z tym odmienny sposób sterowania w stosunku do przyrządów bipolarnych, w których występują oba rdzaje przewodzenia prądu. W tranzystorze polowym MOSFET prąd przepływa między elektrodami gównymi zwanymi drenem i źródłem. Jest to przyrząd o sterowaniu napięciowym, do jego sterowania jest potrzebna bardzo mała moc.

Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką IGBT powstał przez połączenie w pojedynczej płytce krzemowej tranzystora bipolarnego BJT z tranzystorem polowym MOSFET. Utworzona w ten sposób struktura ma pozytywne cechy obu przyrządów i stanowi atrakcyjny łącznik półprzewodnikowy, przydatny do układów o mocach nawet do kilku megawatów. Tranzystor IGBT jest przyrządem półprzewodnikowym sterowanym napięciowo (podobnie jak MOSFET), a przepływ prądu między kolektorem i emiterem odbywa się z udziałem większościowych i mniejszościowych nośników ładunku, jak w tranzystorze BJT. Uzyskuje się zatem stosunkowo małą wartość napięcia przewodzenia i jednocześnie krótkie czasy przełączenia, które umożliwiają pracę z częstotliwością wynoszącą kilkadziesiąt koloherców.