P. półprzewodnik samoistny to taki, który jest idealnie czysty (nie posiada Zan. I dom.) oraz jego s.krys. nie posiada żadnych defektów.
F. Koncentracja nośników swob. w krzemie sam. W tem. Pokojowej wynosi około ni=10cm-3.
P. poziom Fermiego, to poziom ener., dla którego praw. Obsadzenia.. elektron wynosi 0,5.
F. rozczepienie poz. Fermiego w złączu p-n jest miarą nap. Polaryzacji.
P. Generacja i rek. Pośrednia Zach. Przy udziale dodatkowych dozwolonych poz. Ener.
F. centra gen-rek mogą być zarówno donorami, jak i akceptorami.
F. na pow. Półkrzew. Stany pow. Działają jak centra SRH i mogą zwiększać czas życia noś. Przy powierzchni.
F. dodatkowe dozwolone poz. Ener. Ulokowane w pob. Środka pasma zab. Zwiększają czas życia nośników.
P. prąd unoszenia w półprzewodniku zależy od gradientu Kon. Domieszek.
N. dyfuzja nośników w półp. Zależy od przył pola Elek.
P. przy polaryzacji złącza p-n w kier. Zaporowym płynie niewielki prąd nośników mniejszościowych.
F. przy Pol. Złącza p-n w kier. Przewodzenia płynie prąd nośników większościowych zaleznych silnie od przył. Nap.
F. przy polaryzacji złącza p-n w kier. Zaporowym płynie głównie prąd unoszenia.
P. przy polaryzacji złącza p-n w kier. przewodzenia płynie głównie prąd dyfuzyjny.
F. aby tranzystor bipolarny pracował w stanie aktywnym, to złącza tranzystora muszą być spolaryzowane w kier. Przewodzenia.
F. aby tran. Prac. W stanie inwersyjnym, to złącze baza-emiter musi być spol. W kier. Przew., a złącze baza-kolektor w kier. Zap.
F. aby tranz. Pracował w stanie nasycenia, to złącza tran. Muszą być spol. W kier zap.
F.aby tra. Pracował w stanie odcięcia, o złącze baza-emiter musi być spol. W kier. Zap., a złącze baza-kolektor w kier. Przew.
P.nośnikami większościowymi w tranz. Dipol. NPN są elektrony.
F.nośnikami mniejszościowymi w tranz. Dipol. PNP są elektrony.
P.elektrony w bazie tranz. NPN są nośnikami mniejszościowymi.
F. elektrony w bazie tranz. PNP są nośnikami większościowymi.
F. kanał indukowany w tranz. Polowym to taki, który został …. Technologicznym.
F. kanał zubożony w tranz. Polowym to taki, który powstaje…. Napięcia na bramce...
F. tranz. JFET mogą być tylko z kanałem wbudowanym.
P. tranz. MOS z kanałem typu n wytwarza się w podłożu typu p.
P.nośnikami ładunku w tranz. Polowym z kanałem typu p są dziury.
P. Miarą odporności wzmacniacza na zmiany napięć zasilających jest współczynnik o nazwie… PSRR.
P. stosunek wzmocnienia sygnału różnicowego i sygnału wspólnego wyznacza współczynnik… CMRR.
P.współczynnik przesunięcia fazowego filtrów określa kąt pomiędzy napieciem wejściowym a napieciem wyjściowym.
P.dobroć filtrów określa stosunek częstotliwości środkowej do szerokości jego pasma.