LABORATORIUM ELEKTRONIKI
Imię i nazwisko: Łukasz Konieczny Dionizy Płaczek	Data wykonania ćwiczenia: 30.03.2006	Ocena:
		Data oddania sprawozdania: 13.04.2006	Specjalność: Silniki Spalinowe	Grupa: Czwartek 11.45
Temat ćwiczenia: Tranzystor bipolarny

1. Wstęp teoretyczny

Tranzystor bipolarny npn zbudowany jest w formie ,,sandwicza" złożonego z trzech warstw: warstw zewnętrznych półprzewodnika typu n tworzących emiter i kolektor oraz cienkiej środkowej warstwy półprzewodnika typu p tworzącej bazę. W tranzystorze pnp emiter i kolektor utworzone są z półprzewodnika p, a baza z półprze­wodnika n. Te trzy warstwy formują dwa złącza p-n: złącze baza — emiter BE oraz złącze baza — kolektor BC. W cełu poprawnego działania tranzystora bipolarnego złącze BE musi być spolaryzowane do przewodzenia, a złącze BC spolaryzowane zaporowo, tak jak pokazano to na rysunku.

Przez złącze BE tranzystora npn przepływają nośniki większościowe ładunku, w tym przede wszystkim elektrony swobodne z emitera (typ n) do bazy. Również dziu­ry z obszaru bazy (typ p) przepływają przez złącze do emitera. Prąd dziurowy jest znacznie mniejszy ze względu na mniejszą liczbę dziur, wynikającą z mniejszej ob­jętości bazy od objętości emitera. Mniejsza cześć elektronów swobodnych po osią­gnięciu obszaru bazy wypełnia istniejące tam dziury, czyli podlega procesowi re­kombinacji. Znacznie większa część elektronów swobodnych po znalezieniu się w obszarze bazy jest przyciągana przez kolektor i przepływa przez złącze BC spolary­zowane zaporowo, tak jak własne nośniki mniejszościowe bazy. Wypływające z emitera elektrony swobodne tworzą prąd emitera I_e, który rozdziela się w obszarze bazy na mały prąd bazy I_B i duży prąd kolektora I_c. Konstrukcja tranzystora bipo­larnego: a głównie małe rozmiary bazy sprawiają, że stosunek między prądem ko­lektora, a prądem bazy jest stały. Stosunek I_C/I_B nazywa się współczynnikiem wzmocnienia prądowego tranzystora i oznacza się symbolem 

Stały stosunek I_C/I_B oznacza, że pewnej wartości prądu bazy I_b (lub zmianie prądu I_b) odpowiada określona wartość prądu kolektora l_c (lub jego zmiana). Można za­tem zmieniać (sterować) prąd bazy po to, aby uzyskiwać -krotnie większe zmiany prądu kolektora. Uzyskuje się więc wzmacnianie przez tranzystor mocy sygnału sterującego. Większą moc sygnału w obwodzie kolektora otrzymuje się kosztem mocy czerpanej z zasilacza.

2. Schemat stanowiska pomiarowego

3. Wyniki pomiarów

Tabela 1. Wyniki pomiarów

Lp.	Uwej [V]	IB [A]	IC [mA]	UCE [V]	
1.	2,1	26,8	9,7	2,00	-
2.	1,8	20,4	7,7	3,93	323
3.	1,5	14,8	5,8	6,01	339
4.	1,2	9,8	3,8	8,01	400
5.	0,9	4,8	1,9	10,04	380

B_śr=360

4. Obliczenie parametrów wzmacniacza

Schemat układu

Dane:

B=360

k_u=10 [V/V]

I_c=10 [mA]

U_s=12 [V]

U_CE=6 [V]

(1)

(2)

(1)

(2)

Wiedząc, że:

I_E=I_B+I_C

z równania (1) wyznaczamy R_C

Z równania (2) wyznaczam R_B

4. Wnioski

Z przeprowadzonych przez nas pomiarów otrzymaliśmy wartość =360. Na podstawie tej i innych danych podanych przez prowadzacego zajęcia obliczyliśmy wartości oporów rezystorów dla wzmacniacza w układzie wspólnego emitera. jak się okazało z póxniejszych pomiarów, obliczone przez nas wartości, mimo zastosowania nieco innych rezystorów pozwolily uzyskać zbliżone do zalożonych parametry wamacniacza.

---