1. Pomiar charakterystyk przejściowych tranzystora złączowego IRF 530.

1. Schemat pomiarowy:

2. Wyniki pomiarów:

UDS = 8,62 [V]
UGS [V]	3,02	3,11	3,2	3,45	3,54	3,69	3,75	3,95	4,18	4,52	4,85	4,86	5,08	5,27	5,47
ID [mA]	0,25	0,63	1,72	15,7	34,1	83,6	84,2	84,3	84,4	84,2	84,2	84,2	84,2	84,2	84,2
UDS =11,68 [V]
UGS [V]	0,63	1,25	2,35	2,87	3,01	3,31	3,62	4,08	4,53	5,32	5,79	6,06	7,7	7,83	7,9
ID [mA]	0,01	0,01	0,01	0,06	0,24	5,1	57,8	114,2	116	116	116	116	116	116	116
UDS = 15,07 [V]
UGS [V]	0,86	1,32	1,75	2,21	2,56	3,0	3,22	3,32	3,44	3,65	3,96	5,25	6,26	6,86	7,31
ID [mA]	0,1	0,1	0,1	0,1	0,1	0,3	1,1	7,7	15,6	74,7	147,7	150	150	150	150

3. Wykresy




UWAGA: Nasz wykres w pewnym momencie pomiarów staje się poziomy, związane jest z wydolnością prądową naszych zasilaczy. Wartość progowa Up na podstawie przeprowadzonych pomiarów (dla I_D=0,1mA), wynosi 2,915 V.

4. Parametry IRF530 z indukowanym kanałem typu n:

UDsmax 100[V]

IDmax 14[A]

RDson 0,16[Ω]

I_D =5[A]

P_tot=10W

2. Pomiar charakterystyk wyjściowych tranzystora złączowego IRF 530.

1. Schemat pomiarowy:




2. Wyniki pomiarów:

UGS =4,17 [V]
UDS [V]	0,004	0,006	0,009	0,016	0,021	0,024	0,027	0,03	0,033	0,035	0,038	0,043	0,048	0,051	0,055
ID [mA]	2,24	4,37	33,8	69,5	89,8	107	116	129	140	148	160	181	203	212	227
UGS = 5,26 [V]
UDS [V]	0,003	0,004	0,006	0,008	0,009	0,009	0,01	0,011	0,013	0,014	0,017	0,019	0,021	0,024	0,025
ID [mA]	22,3	30,8	48,5	58,2	66,7	71,1	78,2	84	97,7	109	131	147	161	172	193
UGS = 5,95 [V]
UDS [V]	0,002	0,003	0,006	0,007	0,009	0,01	0,012	0,015	0,016	0,017	0,018	0,019	0,020	0,022	0,025
ID [mA]	20,1	28,2	48,2	60,9	77,7	83,3	102,7	125	135	141	149	158	171	179	204

3. Wykresy:




3. Wnioski.

1. Wyznaczenie prądu nasycenia I_DSS i napięcia wyłączenia U_P




Dla U_DS = 15,07V

ID = 0,1mA

UGS =2,25 V

ID = 0,3 mA

UGS = 3 V

Obliczone wartości dla wskazanego U_DS to: U_P = 1,95V, I_DSS = 3,3mA

Dla U_DS = 11,68V

ID = 0,01 mA

UGS = 2,35V

ID = 0,06 mA

UGS =2,87 V

Obliczone wartości dla wskazanego U_DS to: U_P = 1,96V, I_DSS = 0,82 mA

Dla U_DS =8,62V

ID = 0,25mA

UGS =3,02 V

ID =0,63 mA

UGS = 3,11 V

Obliczone wartości dla wskazanego U_DS to: U_P = 2,9V, I_DSS =2,9mA

2. Wykonanie obliczeń prądu ID i wykreślenie charakterystyki teoretycznej i rzeczywistej na jednym wykresie




UDS= 15,07V
UGS [V]	0,86	1,32	1,75	2,21	2,56	3,0	3,22	3,32	3,44	3,65	3,96	5,25	6,26	6,86	7,31
ID [mA](obl.)	-	-	-	-	0,31	0,94	3,46	24,19	49,01	234,68	279,98	-	-	-	-
ID [mA](zmierz.)	0,1	0,1	0,1	0,1	0,1	0,3	1,1	7,7	15,6	74,7	147,7	150	150	150	150




3. Wnioski:

Należy zauważyć duży wpływ U_GS na charakterystyki wyjściowe, podobnie jak to miało miejsce przy tranzystorach bipolarnych, gdzie duży wpływ miały prądy bazy.

Natomiast napięcie UDS wpływa w bardzo małym stopniu na charakterystyki przejściowe.

Główną zaletą tranzystorów polowych, której w pomiarach nie dało się zauważyć jest bardzo mały prąd bramki, rzędu kilku µA. Dzięki czemu tranzystory unipolarne mają szerokie zastosowanie we wzmacniaczach audio wysokiej klasy, ponieważ nie obciążają poprzedzającego stopnia i nie powodują jego przesterowania.

---