elektro7, Mechatronika, Rok II, Semestr III, Elektronika, Lab


0x01 graphic

ELEKTRONIKA - LABORATORIUM

SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH

Temat ćwiczenia: Technika cyfrowa: układy TTL i CMOS - podstawowe bramki logiczne i układy sekwencyjne (ćw. 7)

Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami, charakterystykami, zasadami działania bramek logicznych TTL i CMOS, układów sekwencyjnych TTL oraz z zasadami sprzęgania układów logicznych z innymi elementami układów elektronicznych.

Mechatronika

Grupa IV zespół 3

Jakub Michałka

Piotr Ostrowski

Damian Szypulski

Michał Tobolewski

Witold Zieliński

  1. Przebieg ćwiczenia

W pierwszej części ćwiczenia dokonaliśmy sprawdzenia działania dostępnych w zestawie laboratoryjnych układów logicznych wykonanych w technologii TTL i CMOS. Do kasety z układami scalonymi doprowadziliśmy odpowiednie napięcie zasilania z zewnętrznego zasilacza, to samo napięcie z szyn zbiorczych na kasecie podłączyliśmy do konkretnego układu badanego. Sprawdziliśmy dla każdej kombinacji stan logiczny na wyjściu. Zanotowaliśmy wyniki pomiarów i sprawdziliśmy zgodność z tabelami prawdy, zweryfikowaliśmy zgodność poziomu napięcia wyjściowego z wymaganiami standardu badanego układu. Dodatkowo sprawdziliśmy co się dzieje z napięciem gdy przewód który ma być podłączony do masy zawiesimy w powietrzu.

W drugiej części ćwiczenia dokonaliśmy pomiaru charakterystyk dla bramek typu TTL .W tym celu w zbudowanym układzie zmienialiśmy potencjometrem napięcie wejściowe badanej bramki w zakresie od zera do napięcia zasilania Ucc. Mierzyliśmy napięcie wyjściowe badanej bramki. W drugim układzie z bramką Schmitta zmienialiśmy napięcie wejściowe najpierw w górę do osiągnięcia a następnie w dół, było to konieczne do wyznaczenia histerezy tego układu.

Następnym naszym zadaniem było zbudowanie układu z dołączonym rezystorem dekadowym . Służy on do zmiany wartości prądu wyjściowego. Dla stanu wysokiego H na wyjściu rezystor podłączyliśmy do masy . Dla stanu niskiego L rezystor na wyjściu podłączyliśmy do napięcia zasilania. Dla każdego ze stanów wyjścia zmniejszaliśmy rezystancję do momentu, gdy prąd wyjściowy osiągnął maksymalną dopuszczalną wartość, dla serii układów TTL jest to 1,6 mA dla stanu wysokiego oraz 16mA dla stanu niskiego.

W ostatniej części zajęć laboratoryjnych zajęliśmy się badaniem działania układów sekwencyjnych przerzutnika typu D i typu RS, zabudowanych w jednych układzie. Stan wyjść przerzutnika był sygnalizowany optycznie za pomocą diody LED. Przeprowadziliśmy sprawdzenie działania przerzutnika przy różnych sekwencyjnych wymuszeń zadawanych przyciskami.

  1. Wyniki pomiarów

Bramka TTL

NAND

 

 

 

NAND

SCHMIDTT

 

 

X1

X2

Y

U

X1

X2

Y

U

1

0

1

3,9

1

0

 

4,055

0

1

1

3,9

0

1

 

4,055

1

1

0

0,068

1

1

 

0,071

0

0

1

3,9

0

0

 

4,055

X2,X1

W POWIETRZU

 

0,068

X1,X2

W POWIETRZU

 

0,071

Bramka CMOS

NAND

 

 

 

NEGACJA

SCHMIDT

 

X1

X2

Y

U

X1

Y

U

1

1

 

0

1

0

0,004

0

1

 

4,981

0

1

4,99

1

0

 

4,981

 

 

 

0

0

 

4,981

 

 

 

X1,X2

W POWIETRZU

 

NIESTABILNY

X1,X2

W POWIETRZU

 NIESTABILNY


Bramka TTL - NAND

Uwe

Uwy

0,25

3,942

0,51

3,914

0,61

3,824

0,77

3,6

0,97

3,299

1,12

3,017

1,21

2,716

1,29

2,403

1,29

2,389

1,3

1,265

1,32

1,11

1,33

0,988

1,36

0,8

1,38

0,715

1,4

0,6

1,43

0,5

1,44

0,44

1,46

0,068

3,92

0,069

Bramka TTL Schmitt

Dla napięcia rosnącego: Dla napięcia malejącgo:

Uwe

Uwy

Uwe

Uwy

0,22

4,113

4,95

0,072

 

 

 

 

 

 

0,9

0,072

 

 

0,86

4,12

 

 

 

 

 

 

0,22

4,12

1,71

4,113

 

 

1,73

0,072

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4,92

0,072

 

 

0x01 graphic


W poniższych tabelach przedstawiono zmierzone wartości napięcia w zależności od natężenia (zmienianego przy pomocy rezystora dekadowego) w układzie jakimś tam.


LOW

WY=0

Uwy

Icc

0,065

-0,005

0,069

-0,07

0,071

-0,158

0,073

-0,232

0,076

-0,439

0,077

-0,482

0,084

-0,943

0,087

-1,166

0,092

-1,528

0,094

-1,629

0,096

-1,808

0,102

-2,215

0,106

-2,561

0,11

-2,857

0,112

-3,033

0,118

-3,458

0,121

-3,72

0,128

-4,4

0,134

-4,8

0,147

-6

0,156

-6,8

0,167

-7,9

0,183

-9,4

0,205

-11,6

0,214

-12,5

0,221

-13,2

0,228

-13,9

0,237

-14,8

0,241

-15,2

0,246

-15,7

0,248

-16

HIGH

WY=1

Uwy

Icc

3,83

0,004

3,766

0,012

3,706

0,037

3,668

0,072

3,64

0,116

3,575

0,317

3,568

0,348

3,558

0,402

3,553

0,431

3,543

0,489

3,538

0,517

3,531

0,566

3,524

0,615

3,517

0,672

3,51

0,727

3,502

0,791

3,498

0,828

3,491

0,889

3,483

0,961

3,478

1,015

3,471

1,077

3,468

1,11

3,461

1,184

3,453

1,269

3,449

1,315

3,445

1,366

3,44

1,421

3,43

1,48

3,33

1,505

3,329

1,546

3,324

1,616


0x01 graphic

0x01 graphic

  1. Wnioski



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Wnioskicw4, Mechatronika, Rok II, Semestr III, Elektronika, Lab
Opracowanie koducw4 (1), Mechatronika, Rok II, Semestr III, Elektronika, Lab
open colector, Mechatronika, Rok II, Semestr III, Elektronika, Lab
Przetwórstwo opracowane pytania MZ 2B DZ (1), Mechatronika, Rok II, Semestr III, PTS i skrawanie
pytania na zal z PTS.IMM+Mechatr, Mechatronika, Rok II, Semestr III, PTS i skrawanie
Lab.-Statyczna proba skręcania, ZiIP, II Rok ZIP, wytrzymalosc, WYDYMA ROK II semestr III-IV, WYDYMA
tensometry1, ZiIP, II Rok ZIP, wytrzymalosc, WYDYMA ROK II semestr III-IV
egzamin masaz, STUDIA, WSR - Fizjoterpia, Rok II, ROK II, Semestr III, MASAŻ, MASAŻ
Laboratorium Wytrzymalosci Materialow-cw7, ZiIP, II Rok ZIP, wytrzymalosc, WYDYMA ROK II semestr III
Robotyka-ściąga2, Studia ATH AIR stacjonarne, Rok II, Semestr III, Podstawy robotyki I, Pomoce nauko
GLEBOZNAWSTWO WYKŁAD, Rok III, Rok II, Semestr III, Gleboznastwo, Gleboznastwo wykład
patooo, STUDIA, WSR - Fizjoterpia, Rok II, ROK II, Semestr III, patologia ogólna, patologia ogólna,
2. Sprawozdanie 29.10.2014 - Statyczna próba ściskania, Studia ATH AIR stacjonarne, Rok II, Semestr
inżynieria ćw12, Studia, I o, rok II, semestr III, inżynieria materiałowa, od Asi
inżynieria ćw11, Studia, I o, rok II, semestr III, inżynieria materiałowa, od Asi
inżynieria ćw13, Studia, I o, rok II, semestr III, inżynieria materiałowa, od Asi
Ćwiczenie 6 hydro, Ochrona Środowiska UR Kraków, Rok II, Semestr III, Hydrologia i ochrona wód

więcej podobnych podstron