188 189

188

Rys. 5*73* Komórka statycznej pamięci RAM: a) bipolarna, b) MMOS

rzy przerzutnlk, połączony z liniami bitowymi poprzez układy bramkujące Tr, oraz Tg, Tg. Zapis i odczyt odbywa się podobnie Jak w komórce bipolarnej.

Bardzo istotne jest to, że podczas odczytu zawartość opisanych komórek nie ulega zmianie (Honda3trućtive readout = NDRO). Informacja zapisana w takiej pamięci pozostaje aż do nowego zapisu lub wyłączenia zasilania.Dla porównania, każdorazowy odczyt z pamięci ferrytowej jest niszczący 1 wymaga ponownego wpisania odczytywanej informacji, czyli tzw. regeneracji.

Z kolei pamięć ferrytowa nie jest ulotna, tzn. jej zawartość nie zmienia się przy zaniku zasilania.

Wadą pamięci statycznej Jest stosunkowo duży pobór mocy (co najmniej 0,1 mW/bit), wynikający stąd, że jeden z tranzystorów przerzutnika zawsze przewodzi. W związku z tym, niektóre pamięci scalone mogj przebywać w tzw. stanie oczekiwania (Standby), gdy nie są aktualnie odczytywane ani zapisywane. W stanie tym zasilane są znacznie niższym napięciem. Radykalnym posunięciem jest również budowa komórek pamięciowych - zarówno bipolarnych jak i MOS - przy użyciu tranzystorów komplementarnych. Z braku miejsca nie będziemy ich Jednak omawiali.

5.10.2. Pamięci dynamiczne RAM

W pamięciach dynamicznych informacja zapamiętywana jest poprzez stan naładowania kondensatora(ów) obecnego(ych) w każdej komórce. Koncepcyjny schemat komórki dynamicznej i obwodów towarzyszących przedstawiony jest na rys. 5.71, na którym dla uproszczenia pominięto linie adresowe. Zapis następuje z chwilą zwarcia klucza Kj, co powoduje naładowanie lub rozładowanie kondensatora C, po czym klucz zostaje rozwarty. Ze względu naup^pw ładunku konieczna jest cykliczne, zazwyczaj co 2 ms, odświeżanie (Refresh) informacji poprzez kolejne zwieranie kluczy Ł,, K^, Łj i rozwarcie ich w

	Ki	k	K3
im	l	0	0
ODCZYT	3	1	ż
ODŚWIEŻANIE	3	1	l

O • orwMtry

U,3 - KOLEJNOŚĆ UMYKANIA

Rys. 5*74. Zasada działania jednobitowej komórki pamięci dynamicznej

odwrotnej kolejności. Te same operacje na kluczach wykonywane są podczas odczytu, z tą różnicą, że dotyczą one Jedynie wybranej komórki (lub zespołu komórek tworzących wybrane słowo), podczas gdy odświeżanie odbywa się Jednocześnie we wszystkich komórkach danego wiersza matrycy pamięciowej .

Spośród wielu możliwości realizacji komórek dynamicznych, na rys. 5-75 pokazano dwie najczęściej stosowane.

Rys- 5.75. Typowe komórki dynamiczne: a) C-tranzystorowa, b) 1-tranzysbo-

rowa

Głównym elementem komórki z rys. 5.75a Jest przerzutnlk dynamie zny,po.> stały ze statycznego przerzutnika L!03 (rys. 5-75b) przsz usunięcie tranzystorów obciążających Tj i T^. Jeden z tranzystorów lub 2., wprowadzany Jest w stan przewodzenia pod wpływem napięcia tta pojemności własnej bramki, a nie napięcia drenu drugiego z tranzystorów. 2 u-agi na proces odświeżania, konieczny Jest dostęp do linii bitowych już po wybraniu wiersza. Odśnieżanie jesfbardzo proste, gdyż polega na wymuszeniu 3 = 3 = H we wszystkich komórkach wybranego (^ = H) wiersza. Dzięki dzielnikom napięciowym 7^, T^ i Tg, Tg następuje doładowanie właściwej pojemności.

Komórka 4—tranzystorowa wykorzystywana jeże w szybkich pamięciach o pojemności 1k. Yi pamięciach o większej pojemności, wymagających v;iększ;;o