DSCN5319 (4)

Statyczna pamięć RAM (SRAM) • elementarna komórka (1 bit) zbudowana z przerzutnika: 4-6 tranzystorów

4 ^V*

• wewnętrznie - tablica komórek: n rzędów x m kolumn

• szybki dostęp * nie wymaga odświeżania zawartości - utrzymuje zawartość tak długo, jak jest zasilana • b. mały pobór prądu w stanie jałowym - zawartość może być podtrzymywana bateryjnie

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCN5320 (2) Statyczna pamięć RAM (SRAM) • elementarna komórka (1 bit) zbudowana z przerzutnika: 4-6
DSCN5321 (2) Dynamiczna pamięć RAM (DRAM) * elementarna komórka (1 bit) zbudowana z tranzystora i ko
188 189 188 Rys. 5*73* Komórka statycznej pamięci RAM: a) bipolarna, b) MMOS rzy przerzutnlk, połącz
DSCN5390 (3) Niezależnie od typu pamięci RAM... po włączeniu zasilania jej komórki znajdują się w lo
14 6. Instrukcie logiczne 59 iloczyn przesyłany jest do akumulatora (A), • komórki wewnętrznej pami
DSCN5389 (3) Parametry różnych typów pamięci ■KSSnESETTHl SRAM Mmconductor mcmory 0.5-2.$
MG&04 t/hn t StftJFt; ~ ■ Realizacja pamięci RAM process llbrary leee; use ieee.stdJoglc_1164.all;
Slajd23 (115) Pamięć RAM
Image609 Pamięć RAM (akumulatory) Pamięć RAM charakteryzuje się pojemnością 16 słów 4-bitowych z
IMG04 Schemat elementarnej komórki sieci regularnej płasko-centrycznęj A1 (y)
IMG 1110132928 Sieć heksagonalna o gęstym ułożeniu atomów 3 elementarne komórki siedowe są złożone
Instukcja odblokowania nieużywanej pamięci RAM Po uruchomieniu programu kliknij jak na kolejnych obr
I. Pamięć RAM Budowa matrycy pamięcifió Pamięć półprzewodnikowa jest rodzajem prostokątnej
I. Pamięć RAMPamięci półprzewodnikowe Definicja: Pamięcią RAM nazywamy pamięć
I. Pamięć RAMPamięci półprzewodnikowe Pamięci RAM są pamięciami ulotnymi. Oznacza to, że dane są

więcej podobnych podstron