II TERMIN 1

Zad 2

Igzamln poprawkowy t przedmiotu ..Analogowe układy elektroniczne II" (3 CT OI)

19.02.2015 r.. grupa II

Iilad na rysunku przedstawia:

wzmacniacz ze wspólnym kolektorem (OC) o wzmocnieniu k_u ?-i wzmacniacz mocy w układzie przeciwsobnym

wzmacniacz ze wspólnym źródłem o współczynniku wzmocnienia | k_g \»i wzmacniacz ze wspólną bramką o współczynniku wzmocnienia k₀ »1 wzmacniacz ze wspólnym drenem (wtórnik źródłowy) o współczynniku wzmocnienia k_u - i

wzmacniacz ze wspólnym drenem z obciążeniem aktywnym

Na rysunku przedstawiono:

układ polaryzacji tranzystora bipolarnego, w którym tranzystor jest zatkany, bo prąd bazy w 0

układ polaryzacji tranzystora MOSFET z kanałem typu n

układ z automatyczną polaryzacją bramki tranzystora złączowego (JFET) z

kanałem typu n

obciążenie aktywne typu lustro prądowe

układ polaryzacji tranzystora bipolarnego ze sprzężeniem emiterowym na rezystorze Rj

układ z obcą polaryzacją bramki tranzystora JFET z kanałem typu p i sprzężeniem źródłowym

Zad. 3

Wielkość Alc/AUee określa:

współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego ((5) dynamiczny współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego (h₂i) * małosygnałową impedancję wejściową tranzystora (hu) małosygnałową transkonduktancję tranzystora (g_m) temperaturowy współczynnik napięcia baza-emiter

Zad. 4

W układzie wzmacniacza ze wspólnym emiterem górna częstotliwość graniczna jest określona przez:

wartości pojemności wewnętrznych tranzystora Ct>_c i Cb₍, których wartość zależy od punktu pracy tranzystora wartości pojemności i oporności zewnętrznych oraz małosygnałowych parametrów tranzystora wyłącznie od wartości zewnętrznych pojemności i oporności zastosowanych we wzmacniaczu wartości napięcia zasilającego oraz oporności wyjściowej źródła sygnału wartości napięcia i oporności wewnętrznej źródła sygnału wejściowego

Zad. 5

współczynnika wzmocnienia tranzystora wartości napięcia zasilającego

dobroci zastosowanej cewki, oporności tłumiących obwód rezonansowy, oraz wartości L i C wyłącznie od wartości L, C zastosowanych w obwodzie transkonduktancji (g_m) i oporności wejściowej (hu) tranzystora