generat nap sin002

generat nap sin002



2 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki

Wiedząc, że:

ii

(9.1)

U2p(jcj) = f2 , 2 V ' K (jo)

(9.2)

Wynika stąd:

K{j(o)p{j(o) = 1

(9.3)

\K(jĄp{jco)\ej^ej^ =1

(9.4)

Z zależności (9.4) wynikają dwa warunki generacji, pierwszy warunek amplitudy:

\Ąj(o)\P{j(o)\ = 1

(9.5)

który można również zapisać jako:

Re[£(yffl) •/?(/<«)] = 1 Im \_K(ja)-p{jco)\ = 0

(9.6)

oraz warunek fazy:

ęx2- 0, 2x, 47r, ...

(9.7)

Zgodnie z warunkiem amplitudy (9.5) układ może wytwarzać drgania tylko wówczas, gdy wzmacniacz kompensuje działanie tłumiące czwómika sprzężenia zwrotnego. Warunek fazy (9.7) wskazuje, że drgania mogą wystąpić tylko wtedy, gdy suma przesunięć fazowych wnoszonych przez wzmacniacz i czwómik sprzężenia zwrotnego wynosi zero lub wielokrotność 360° (27i).

Na płaszczyźnie Gaussa (rys. 9.2) generowanie drgań sinusoidalnych odpowiada sytuacji, gdy charakterystyka amplitudowo-fazowa przechodzi przez punkt (-1, jO). Jeżeli całkowite wzmocnienie pętli sprzężenia zwrotnego w punkcie przecięcia z osią rzeczywistą jest mniejsze od jedności, czyli gdy zachodzi:

(9.8)


Re[£(;co)-p(yco)]<l

Materiały powielane.


Wersja robocza skryptu z AEiUE - Gliwice 2009

Rys. 9.2. Charakterystyka amplitudowo-fazowa K(j co)-p(j co) otwartej pętli sprzężenia zwrotnego generatora: a) drgania sinusoidalne o stałej amplitudzie Re{K(j co)- p(j co)}=l, b) drgania zanikające Re{K(jco)-P(jco)}<1, c) drgania o amplitudzie narastającej Re{K(jco)-p(jco)}> 1



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
generat nap niesin002 2 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Generowany przebieg charakteryzuje s
generat nap niesin004 4 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki tranzystora T jest zbliżone do warto
generat nap niesin006 6 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Rys. 10.5. Tranzystorowy przerzutnik
generat nap niesin008 8 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki b) Rys. 10.7. Uniwibrator zbudowany
generat nap sin004 4 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki 2.3. Generatory drgań sinusoidalnych LC
generat nap sin006 6 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki W generatorach przedstawionych na rysun
generat nap sin008 8 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki sprzężenia zwrotnego. Diody te spełniaj
generat nap niesin010 10 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Układ jest, więc przełączany przy d
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0770 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Efekt Zenera jest wykorzystywany w pra
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys

więcej podobnych podstron