Image106

4.1.4.2. Bramka podstawowa z serii malej mocy (L)

Schemat elektryczny bramki I-NIE (NAND) z serii małej mocy (L00) przedstawiono na rys. 4.35. W porównaniu z bramką standardową w układzie tym zwiększono znacznie wartość rezystancji, co wpłynęło na znaczne zmniejszenie

40kQ

Rys. 4.35. Bramka L00

poboru mocy (około dziesięciokrotne). Pogorszyło to jednak ponad trzykrotnie

czas propagacji sygnału. Układy serii L cechuje szereg zalet:

—    mały pobór mocy (około 1 mW na bramkę), umożliwiający konstrukcję urządzeń z bateryjnym zasilaniem,

—    możliwość zwiększenia gęstości montażu na pakietach, wynikająca z małej ilości wydzielanego ciepła i łatwości odprowadzenia go (wzrasta niezawodność),

—    mała czułość na zakłócenia dynamiczne (układ nie reaguje na impulsy o krótkim czasie trwania),

—    niezbyt duże impulsy prądu I_cc w momencie przełączania, dlatego kondensatory blokujące napięcie zasilające mogą mieć małą wartość pojemności.

4.I.4.3. Bramka podstawowa z serii bardzo szybkiej (S)

W standardowej bramce TTL, jak również w jej szybkiej wersji (H), na ograniczenie szybkości przełączenia wpływają parametry tranzystorów pracujących w obszarze nasycenia. Zastosowanie diod Schottky’ego, zapobiegających nasyceniu tranzystorów, umożliwiło opracowanie bramki o czasie propagacji około 3 ns.

Rys. 4.36. Charakterystyki I — f(U) diody krzemowej i diody Schottky’ego

Dioda Schottky’ego charakteryzuje się mniejszym spadkiem napięcia w kierunku przewodzenia (typowa wartość wynosi 300 -5- 400 mV) niż zwykła dioda krzemowa (rys. 4.36), dlatego zastosowanie jej w obwodzie baza-kolektor tran-

116