Laboratorium Elektroniki cz II 6

90

Tablica 4.1

o 00

a*

5Ś-

Ho* +	-r-	+
HcJ		j
+ j-io	53	JZ
	i
-l«s		o

+

U

J=\<x

+

0

_l

1

O

"5

g>

c

<D

05

m

m

o.

£

I?

s

II

5 I-i

i

s,

o> ni n e> O -O

częstotliwości generowanych przebiegów oraz warunki generacji

powered by

Mi sio!

_cy 4 1 Są one wzorami przybliżonymi, podającymi częstotliwość rezonansową równoległego obwodu LC generatora. Przy dokładnej analizie układu generatora Meis-_snera uzyskuje się zależność dla częstotliwości drgań, w której występują również parametry tranzystora oraz obciążenie generatora. Z warunku generacji podanego w tablicy 4 1 (dla generatora Meissnera) wynika, że można zbudować generator tego typu ze wzmacniaczem tranzystorowym pracującym zarówno w układzie OE. jak i w układzie OB Dla układu o konfiguracji OE mamy wartość parametru łi2i_e > 0, a więc w celu spełnienia warunku generacji znak indukcyjności wzajemnej M musi być ujemny (M < 0). Wykorzystując wzmacniacz odwracający fazę (a więc układ OE),

Rys. 4.3. Schemat ideowy generatora Meissnera z tranzystorem pracującym w układzie OE: a) z zasilaniem szeregowym, b) z zasilaniem równoległym

^Rys. 4.4. Schemat ideowy generatora Meissnera z tranzystorem pracującym w układzie OB

należy zapewnić odwracanie fazy przez obwód sprzężenia zwrotnego, co wynika z równania (4.7). W generatorze Meissnera z tranzystorem pracującym w układzie OB, dla którego wartość parametru h₂ib < 0, należy zapewnić dodatnią wartość indukcyjności wzajemnej M > O. Schematy ideowe obydwu typów generatorów Meissnera przedstawiono na rys. 4.3a i rys. 4.4. Na schematach tych zaznaczono kropką początki uzwojeń cewek generatorów dla obydwu układów. Na rys. 4.3b przedstawiono schemat generatora