Laboratorium Elektroniki cz II 6

Laboratorium Elektroniki cz II 6



70

do 7i radianów i zawierają obwód rezonansowy w układzie wyjściowym, co prowadzi do wzmocnienia wąskiego pasma częstotliwości bliskich rezonansu i działa jak układ selektywny. Wzmacniacze te umożliwiają osiąganie dużych mocy użytecznych przy sprawnościach rzędu 70 + 80%.

3.2.5.    Struktura typowego wzmacniacza mocy

Typowy wzmacniacz mocy składa się z trzech podstawowych stopni:

•    stopnia wejściowego - którego zadaniem jest odpowiednie wzmocnienie napięciowe sygnału wejściowego oraz wzajemne dopasowanie rezystancji źródła i wzmacniacza;

•    stopnia sterującego - którego zadaniem jest właściwe wysterowanie końcowego stopnia mocy;

•    stopnia mocy - który jest właściwym wzmacniaczem mocy.

W realizacjach praktycznych role stopni wejściowego i sterującego często spełnia wzmacniacz napięciowy pracujący w klasie A, natomiast wzmacniacz mocy jest układem przeciwsobnym pracującym najczęściej w klasie AB, bliskiej klasie B lub wykorzystującym pętlę sprzężenia zwrotnego ujemnego.

3.2.6.    Stopień wyjściowy wzmacniacza mocy

Zadaniem stopnia mocy jest oddanie do obciążenia maksymalnie dużej mocy, przy zachowaniu jak najwyższej sprawności i spełnieniu odpowiednich wymagań odnośnie do zawartości zniekształceń nieliniowych. Na rys.3.2.a przedstawiono typowy wzmacniacz przeciwsobny o symetrii komplementarnej, pracujący w klasie B. Komplementarne tranzystory T-i i T2 pracują tu jako wtórniki emiterowe, a ich charakterystyki powinny być identyczne. Taka konstrukcja umożliwia wyeliminowanie transformatorów wejściowego i wyjściowego. Układ ten charakteryzuje się dużą impedancją wejściową i małą wyjściową, posiada wzmocnienie napięciowe mniejsze od jedności, a prądowe równe (1 + h2iE)- W rezultacie wymaga dla prawidłowego wysterowania dużych amplitud sygnału wejściowego U| , co prowadzi do konieczności stosowania wzmacniacza napięciowego jako stopnia sterującego. Do jego istotnych wad należy konieczność zasilania z układu dwóch baterii.

Zasadę działania zilustrowano na rys.3.2.b: dodatnia połówka sygnału wejściowego ui powoduje przewodzenie tranzystora Ti . przez który płynie prąd ic1. W tym cza-


sie tranzystor T2 jest odcięty. Prąd płynący przez obciążenie Ro kolektora: ici = io- W trakcie przepływu ujemnej połówki sygnału wejściowego u, tranzystor Ti wchodzi w stan odcięcia, a przewodzi tranzystor T2. W tym przypadku prąd płynący przez obciążenie R0 jest prądem kolektora: ic2 = io- W ostatecznym efekcie przez obciążenie R0 płynie wypadkowy prąd io o kształcie sygnału wejściowego u,, jeżeli napięcie sygnału wejściowego jest równe zeru, to przez obciążenie nie płynie


żaden prąd.



Rys. 3.4. Wzmacniacz przeciw-sobny klasy B z jednym źródłem zasilania



W celu wyeliminowania konieczności zasilania z dwóch oddzielnych źródeł +Ucc i -Ucc należy odseparować obciążenie R0 od połączonych emiterów tranzystorów T, i Tza pomocą kondensatora C (rys.3.4), wówczas obwód można zasilić z pojedynczego źródła zasilania. Należy tylko pamiętać o właściwym dobraniu pojemności kondensatora C, tak aby przeładowywanie jego pojemności było niewielkie. Wówczas spadek napięcia na nim powinien wynosić około połowy wartości napięcia zasilania Ucc- Ponieważ rezystancja wyjściowa wzmacniacza jest bardzo mała, to wartość pojemności C zależy tylko od rezystancji obciążenia Ro i dolnej częstotliwości granicznej f0 wzmacniacza (zależność 3.6):


C =


1

2->r-fd R0


(3-6)


Rys 3.5. Przeciwsobny wzmacniacz quasi-komplemen-tarny


Istnieją duże trudności w uzyskiwaniu par komplementarnych tranzystorów dużej mocy. W celu ominięcia tego problemu stosuje się układy o symetrii quasi-komplementarnej (rys.3.5). Wżmacniacz pracujący w takim układzie posiada w stopniu wyjściowym dwa takie same tranzystory Ti i T2 (na rys.3.5 są



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz II 6 30 obciążenia i widoczna jest krótka przerwa, gdy prąd jednej di
Laboratorium Elektroniki cz II 6 50 i Ty3 . Dopóki wartość indukcyjności L będzie dostatecznie ma
Laboratorium Elektroniki cz II 6 90 Tablica 4.1 o
Laboratorium Elektroniki cz II 6 110 delu) i dobrać punkt pracy tranzystora (rezystorem polaryzac
Laboratorium Elektroniki cz II 6 130 Rys. 5.12. Charakterystyka ogranicznika prądowego z redukcją
Laboratorium Elektroniki cz II 6 210 Otrzymujemy (. 2R5>
Laboratorium Elektroniki cz II 4 66 2 h, = •100 [%] (3.3) gdzie ln - amplituda n-tej harmonicznej
Laboratorium Elektroniki cz II 0 118 gdzie: t - czas pomiaru (np.: 1000 godzin). ■   &n
Laboratorium Elektroniki cz II 2 22 rezystancja Ra powinna być pomijalnie mała w stosunku do rezy
Laboratorium Elektroniki cz II 7 32 impulsy prądu płynącego przez poszczególne diody zbliżają się
Laboratorium Elektroniki cz II 1 602.4.    Aparatura pomocnicza Do poznania właści
Laboratorium Elektroniki cz II 2 622.6. Tematy do opracowania 1.    Układ prostown
Laboratorium Elektroniki cz II 1 80 tak więc po podstawieniu do wyrażenia (3.15) otrzymamy: 80 Na
Laboratorium Elektroniki cz II 2 823.4. Aparatura pomocnicza Do poznania właściwości wzmacniaczy
Laboratorium Elektroniki cz II 2 102 a więc rośnie dobroć fazowa Qf (do wartości równej w przybli
Laboratorium Elektroniki cz II 1 200 Rys. 9.12. Schematy do badania układów całkujących z wykorzy
Laboratorium Elektroniki cz II 8 214 wnętrznych rezystorów dyskretnych. Bardzo często rezystory R
Laboratorium Elektroniki cz I 0 1768.6.    Tematy do opracowania 1.   &nb
!Laboratorium Elektroniki cz II Title praca zbiorowa pod redakcjąKrzysztofa Zioło 48.000 ni MO nł/

więcej podobnych podstron