5

5



)) SCHEMATY POMIAROWE

ZASILACZ


-0—


ZASILACZ


.) Uktad WE, tranzystor npn

i) Uktad WB, tranzystor pnp


ZASILACZ +


-0


ZASILACZ


) Uktad WE, tranzystor pnp


ZASILACZ +


-c£P-0-


-0


ZASILACZ +


ZASILACZ


<510


-0—


I) Układ WB, tranzystor pnp


ZASILACZ +



:) układu do pomiaru prądów ICER (tranzystor npn).

£) Parametry katalogowe przykładowych typów tranzystorów Jeżeli pomiary w laboratorium dotyczą innych typów ranzystorów ich dane należy odszukać samodzielnie w katalogu elementów półprzewodnikowych.

LcEm*x

[VI

IcEnwc

IA1

IlIrmN

[A]

IV]

m

pwtw]

tjmax

(C1

UCESAT

FI

Elit;

fi

IMłiz]

■W

tCAVi

TVP

3DP281

30

7

3

40

5

40 tc=25 °C

150

i

25-200

4

3.1

npn

3DP282

30

7

3

40

5

40 tc=25 °C

150

i

25-200

10

3.1

£!!£_

3D 135

45

0.5

0.1

45

5

6.5tc=40oC

125

0.5

40-250

200

10

npn

3D 136

45

0.5

0.1

45

5

6.5^=40 °C

125

0.5

40-250

150

10

£!1E_

3C211

40

1

0.1

80

5

4.25

175

1

6-250

50

35

npn

3C3I3

40

1

0.1

80

5

4.25

175

1

6-250

50

35

ZJE.

F) Opracowanie i analiza wyników:

1 Narysować (wy drukować) wszystkie zmierzone charakterystyki.

2.    Na podstawie charakterystyk złącz BE, BC narysowanych w skali logarytmiczno-liniowej i wyznaczyć współczynniki złącza oraz „prądy zerowe” i rezystancję szeregową.

3.    Na podstawie charakterystyk statycznych wyznaczyć parametry schematu zastępczego z parametrami mieszanymi typu h dla wybranego punktu pracy tranzystora.

4.    Narysować charakterystyki prądów zerowych. Sprawdzić teoretyczną zależność pomiędzy 1c*eo oraz Icbo-

5.    Porównać uzyskane wyniki z danymi katalogowymi.

6.    Skomentować charakterystyki przejściowe i częstotliwościowe wzmacniacza. Wyznaczyć częstotliwości graniczne.

7.    Dokonać kompleksowej analizy- uzyskanych wyników.

literatura pomocnicza:

1.    W. Marciniak „Przyrząd)' półprzewodnikowe i układy scalone"

2.    W. Marciniak „Modele elementów półprzewodników”

3.    A. Kusy „Podstawy elektroniki”

4.    Gray P.E .Searle C.L.- „Podstawy elektroniki

5.    Kołodziejski J. Spiralski L. Stolarski E. „Pomiary przyrządów półprzewodnikowych”


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
)) SCHEMATY POMIAROWE-0— ) Układ WE, tranzystor pnp JZASILACZ +ZASILACZ I) Układ WB, tranzystor pnp
Rys. 1.1. Schemat pomiaru przepływu za pomocą kryzy z przytarczowym odbiorem ciśnienia Do zalet
Schemat pomiarowyPrzebieg ćwiczenia: 1)    Za pomocą autotransformatora zmieniano
imag0084rq 1    Narysuj schemat i oznacz polaryzację dla pracy aktywnej WE tranzystor
Schematy pomiarowe Rys. 8.Układ do pomiaru statycznych charakterystyk tranzystora potowego złączoweg
8 (175) 6.3.2. Pomiar stożka wewnętrznego za pomocą liniału sinusowegoa) Rys.6.15. Schemat pomiaru
skrypt079 Voltomls^ ampawy u Metoda pomiaru stratności za pomocą miernika dobroci AC, (4.25) Śnie mi
skanuj0099 K ys.4. Schemat solenoidu wraz z oznaczeniami stosowanymi we wzorze (3) Znając parametry
Metody cd. Pomiarów dokonywano za pomocą powierzchniowego EMG, aparatem NeuroTrac ETS, z użyciem ele
mity060 (2) 122 Lubosza (Libusza) 122 Lubosza (Libusza) kroków" za górami, we wsi Stadice nad r

więcej podobnych podstron