5

)) SCHEMATY POMIAROWE

-0—

) Układ WE, tranzystor pnp

JZASILACZ +

ZASILACZ

I) Układ WB, tranzystor pnp

;) układu do pomiaru prądów Ichr (tranzystor npn).

Z) Parametry katalogowe przykładowych typów tranzystorów Jeżeli pomiary w laboratorium dotyczą innych typów ranzystorów ich dane należy odszukać samodzielnie w katalogu elementów półprzewodnikowych

_J	30	30	Wk 3	U, _! 40	ł]	1 ^tfvT 1 5	40 t-=25 °C	1 IC1 150	1	25-200	ft [MhzJ 4	(CAV1 3.1	ESI
3DP282	30	7	3	40		5	40 t=25°C	150	1	25-200	10	3.1
3D 135	45	0.5	0.1	45		5	6.5U=40°C	125	0.5	40-250	200	10	npn
3D 136	45	0.5	0.1	45		5	6.5t,=40 °C	125	0.5	40-250	150	10
3C211	40	1	0.1	80		5	4.25	175	1	6-250	50	35	npn
3C313	40	1	0.1	80		5	4.25	175	1	6-250	50	35

F) Opracowanie i analiza wyników:

1.    Narysować (wy drukować) wszystkie zmierzone charakterystyki.

2.    Na podstawie charakterystyk złącz BE, BC narysowanych w skali logarytmiczno-liniowej i wyznaczyć współczynniki złącza oraz „prądy zerowe” i rezystancję szeregową.

3.    Na podstawie charakterystyk statycznych wyznaczyć parametry schematu zastępczego z parametrami mieszanymi typu h dla wybranego punktu pracy tranzystora.

4.    Narysować charakterystyki prądów zerowych. Sprawdzić teoretyczną zależność pomiędzy Iceo oraz Icbo-

5.    Porównać uzyskane wyniki z danymi katalogowymi.

6.    Skomentować charakterystyki przejściowe i częstotliwościowe wzmacniacza. Wyznaczyć częstotliwości graniczne.

7.    Dokonać kompleksowej analizy- uzyskanych wyników.

literatura pomocnicza:

1.    W. Marciniak „Przyrząd)' półprzewodnikowe i układy scalone"

2.    W. Marciniak „Modele elementów półprzewodników”

3.    A. Kusy „Podstawy elektroniki”

4.    Gray P.E .Searle C.L.- „Podstawy elektroniki

5.    Kołodziejski J. Spiralski L. Stolarski E. „Pomiary przyrządów półprzewodnikowych”