21006 spektroskopia016

21006 spektroskopia016



32

E


©



k

Rys. 11. Schemat fragmentu struktury pasmowej krzemu jako przykład półprzewodnika o skośnej przerwie energetycznej. Linie przerywane ze strzałkami oznaczają przejścia z udziałem fotonu. Linie ciągłe ze strzałkami oznaczają przejścia z udziałem fononu. |> oznacza stan przejściowy (wirtualny)


ale z zachowaniem wektora falowego. W drugim etapie następuje przejście elektronu ze stanu |i> do stanu na dnie pasma przewodnictwa ńx przy udziale procesu absorpcji lub emisji fotonu.

Możliwe jest także przejście, w którym w pierwszym etapie ma miejsce oddziaływanie z fononem, a w drugim — z fotonem (rys. 11).

Aby obliczyć prawdopodobieństwo przejścia skośnego, w hamiltonianie oprócz oddziaływania elektron—foton, trzeba uwzględnić oddziaływnie elektron—fonon.

W większości półprzewodników element macierzowy można przyjąć za stały w obszarze skośnych przejść. Pozwala to sumować funkcję 5 analogicznie do przypadku przejść prostych. Jeżeli dodatkowo założymy, że pasma są paraboliczne i sferycznie symetryczne, to otrzymamy wyrażenia określające współczynnik absorpcji dla przejść skośnych:

gdzie:


a(hco) = cta(hco) + ae(hco),


(3.37)


— dla procesów z absorpcją fononu


hco < Elg-Ep hco > E^-Ep,


(3.38)


— dla procesów z emisją fononu

cte(hco) =


{


0

C(n„+1)

hco


(hco — E^ — Ep)2


hco < Etg+Ef hco>Eig + Ep. (3.39)


Skośną przerwę możemy odróżnić od prostej dzięki różnej zależność współczynnika absorpcji od energii fotonów. Dodatkowo dla każdego fononu obserwujemy dwie krawędzie absorpcji dla E^+Ep i E^—Ep, odpowiednio dla procesu z emisją i absorpcję fononu. Procesy z absorpcją fononu, ze względu na zależność np od temperatury, ulegają znacznemu osłabieniu przy obniżaniu temperatury, aż do całkowitego zaniku przy bardzo niskich temperaturach. Tak więc podczas obniżania temperatury gałąź krawędzi absorpcji związana z pochłanianiem fononu znika. Natomiast gałąź odpowiadająca procesowi z emisją fononu proporcjonalna do np+l jest widoczna zarówno w wysokich, jak i niskich temperaturach. Pomiar temperaturowej zależności krawędzi absorpcji dla przejść skośnych pozwala wyznaczyć nie tylko energię Elg, ale również energię fononu Ep. Rysunek 12a przedstawia temperaturową zależność współczynnika absorpcji krzemu w obszarze przejść skośnych. Rysunek 12b prezentuje schematycznie taką krawędź dla dwóch temperatur oraz sposób wyznaczania energii przerwy energetycznej i fononu uczestniczącego w przejściu.

fiu [ev]

Rys. 12a



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
pocisk 1 W    fl Rys.23. Schemat fragmentacji i struktury pocisków z materiału kompoz
Wagony kolejowe i hamulce (191) Rys. 11.9. Schemat struktury przyrządowej rozdzielacza powietrza s —
spektroskopia042 84 Rys. 46. Schemat elipsometru z modulatorem fotoelektrycznym (a). Zastosowanie św
Rys. 11. Schemat przetwornika momentu obrotowego ze sprzęgłem rozłączającym dla samochodu osobowego.
Rys.2.11.    Schemat kinematyczny trzywałkowej skrzyni biegów: 1 - wałek główny, 2 -
cz1 Próg ramowanie Próg ramowanie Rys. 11 Schemat rozpoczęcia pracy z nowym programem jakie pliki w
102 102 Rys. 11.1. Schemat krzywej chłodzenia bez przemian fazowych ich stopach stwierdzono, że w tr
skanowanie0005 Rys. 11.4. Schemat układu pomiarowego A. Wyznaczanie czułości i rezystancji wewnętrzn
Slajd08 Rys. 9.11. Schemat złoża grunlowo-roślinnego z podpowierzchniowym przepływem poziomym ściekó
58 (131) I I Rys. 11.4. Schemat układu pomiarowego galwanometru A. Wyznaczanie czułości i rezystancj
1 Rys. 2.11. Schemat obiegu cieplnego elektrowni z międzystopniowym przegrzewaniem paty / - kocioł;
Rys.11.1. Schemat kolumny mikroskopu elektronowego JEM 100B: 1 - kabel wysokiego napięcia, 2 - dział
Rys.11.5. Schemat biegu elektronów w mikroskopie transmisyjnym: a)    dla przypadku

więcej podobnych podstron