90000 skrypt149

154

Rys. 9.1. Charakterystyka statyczna warystora niskonapięciowego

c)    Wyniki badań oporników odgromnikowych, gdzie występują gęstości prądów rzędu 5+6 *10* A/m², próbuje wyjaśnić się nagrzewaniem styków ziaren, co zmniejsza ich rezystywność. Wtedy charakterystyka dynamiczna kształtuje się następująco (rys. 9.3.a): górna część charakterystyki powstaje podczas wzrostu napięcia udarowego - (następuje nagrzewanie stosunkowo zimnych styków ziaren karborundu), natomiast przy zmniejszaniu napięcia -część dolna - widoczny jest wpływ rozgrzanych ziaren.

d)    Ziarna węglika krzemu posiadają właściwości półprzewodnikowe, w zw iązku z czym powierzchnia ma przeciwny typ przewodnictwa względem wnętrza kryształu. Schemat zastępczy' styku dwóch ziaren zawiera w ięc dwa złącza p-n połączone szeregowy przcciwsobnie (rys. 9.2). Charakterystykę U=f(I) struktury tego typu przedstawiono na rysunku 9.3.b.

^lz1

R 22

Rys. 9.2. Schemat zastępczy styku ziaren węglika krzemu (R_2l, R - rezystancja ziaren)

[4]

Charakterystyki dynamiczne (rys. 9.3.b) niskonapięciowych warystorów (zdjęte dla gęstości prądów mniejszych od 5*10* A/m²) różnią się od charakterystyk warystorów odgromnikowych (rys. 9.3.a). Przebieg charaktery-