286 (36)

286 (36)



- 286


Tranzystor bipolarny

Wzór (5.68) jest słuszny dla IB 0. W ogólnym przypadku dla IB 0

IC (a)V^£ + ^CBo)-^

Ponieważ Ie — h + ^B zatem

(5.69)


_ txNMIB MIcbo c ~ 1 -<x.nM + 1 -olnM

Z obu zależności (5.68) i (5.69) wynika, że Ic -> oo przy (1 —ccNM) -> 0, czyli M -> l/aiV. Zatem w układzie WE do przebicia wystarczy, żeby współczynnik nieznacznie wzrósł powyżej jedności (na przykład dla <xN = 0,99 wystarczy, aby M » 1,01), podczas gdy w układzie WB trzeba, aby M-> oo. Dlatego napięcie UCEomax jest mniejszo niż UCBOmax. Podstawiając do warunku

a nM — 1 wartość M (5.67a) przy UCB = UCEOmax, można wyprowadzić zależność

(5.70)


TT    _ ,"/l    ~ TT    ~ tJCBOmax

uCEOmaxV 1 aiV u --------« rx—

VPn

Zwykle UCFO

max


Ur


i)

Napięcie przebicia UCLmax (przy 1B > 0) jest mniejsze niż UCEOmax, gdyż w miarę wzrostu prądu IB zwiększa się Ic, a większym prądom kolektora odpowiada większa wartość współczynnika aN, czyli przy mniejszej wartości M może być spełniony


warunek knM = 1.

Dotychczas mówiliśmy o przebiciu przy następujących warunkach:

UcBm^i^const, którego szczególnym przypadkiem jest UCBOmaxj,E=0,

UCEmax iB>o, którego szczególnym przypadkiem jest UCEOmax\,B=0.

Dla układu WE interesujące jest również przebicie przy IB < 0, mierzone w następujących warunkach:

CER max 0 < Rbe < co UcESmax~U BE = 0(^B£ = 0)

Ucex max — obwód baza emiter z wdączonym źródłem polaryzacji zaporowej Wszystkie wartości napięć przebicia zaznaczono na typowym wykresie charakterystyk Ic(UCE) (rys. 5.41)l), a na rys. 5.42 przedstawiono zależność UCERmax od przy czym na osi napięcia zaznaczono również wartości UCExmax i tICBOmaxWzrost napięcia UCERmax w miarę zmniejszania rezystancji RBE tłumaczy się coraz silniejszym bocznikowaniem złącza E-B przez RBE, czyli coraz mniejszy jest udział nośników wstrzykiwanych z emitera w prądzie kolektora. Napięcie U ces max nie jest równe UCBOmax tylko dlatego, że istnieje rezystancja rozproszona bazy rbb., która uniemożliwia efektywne zwarcie złącza E-B w obwodzie

*’ Na rysunku podano oznaczenia stosowane w katalogach, tj. BUcr.o zamiast Uceomax itp. (litora B od ang. breakdown — przebicie).


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Obraz0013 Ki tub (3.1 Ib) As, 2 ” Rj In] -^L P2 Wzór (3.11) jest słuszny zarówno dla gazów doskonały
206 III. Pochodne i różniczki Załóżmy, że dla pewnej wartości n wzór ten jest słuszny. Jeśli dla
amat urz kr168 Wzór ten jest słuszny, jeśli indukcja w rdzeniu B wynosi 12 kGs, a częstotliwości sie
DSCF6574 104 mówiąc, wzór 9 jest słuszny dla nieskończenie małych wychyleń. Po wprowadzeniu poprawki
Zależność m(t) = m= Xf(x)dx jest słuszna dla procesu: R 0 0 □ □ □ □ Wybierz co najmniej
zaleznoscm=xf(x)dxjestslusznadlaprocesu jest słuszna dla procesu: Zależność ™(t) = m = Wybierz co
Zależność    m — Jxf[x^dx jest słuszna dla procesu R Wybierz co najmniej
460 [1024x768] 470 CHCMICZNA tzn. {A’] jest stałe, a więc d[Ał‘]/d/ = 0. Założenie to jest słuszne d
72236 PA200320 Subtelności Einsteinowskiej formuły E=mc2 jest słuszne dla ciał izolowanych w układzi
Zależność ^("0 — m = J X jest słuszna dla procesu: R Wybierz co najmniej □ a.

więcej podobnych podstron