327 (26)

- 327

Częstotliwości graniczne tranzystora bipolarnego

fo-

^le

Rys. 5.68

Obwód B, C reprezentujący złącze E-B

w którym napięcie u_eb, a więc i prąd płynący przez r_eb, są opóźnione w stosunku do wejściowego prądu emitera. Dla takiego obwodu można napisać prostą zależność

(5.160)

l+]cor_eb’C_Je

W tym przypadku wyrażenie na sprawność wstrzykiwania emitera (5.38) należy uzupełnić o czynnik określający stosunek „użytecznego” prądu i_eini (jest to prąd nośników wstrzykiwanych do bazy, stąd indeks ini od iniekcji) do całkowitego prądu i_e, w który wchodzi również składowa ładowania pojemności Cj_e

a_e(jw) = <x_B

1

1 +i(or_eb-C_je

(5.161)

przy czym a_e — sprawność wstrzykiwania dla małych częstotliwości, określona wzorem (5.38).

Można zdefiniować częstotliwość graniczną emitera

co_eb = —-^r-    (5.162)

' eh' ^ je

jako taką częstotliwość, przy której moduł współczynnika wstrzykiwania emitera zmniejsza się o 3 dB w stosunku do wartości dla małych częstotliwości

(5.163)

a przesunięcie fazowe prądów i_eini, i_e wynosi 45°.

Zatem opóźnienie czasowe, wnoszone przez warstwę zaporową złącza E-B, jest spowodowane tym, że proces wstrzykiwania nośników- jest zgodny w fazie z napięciem na złączu, a napięcie opóźnia się w stosunku do wejściowego prądu emitera. Ponieważ zjawisko to jest opisane prostą funkcją jcdnobiegunową, stała czasowa dla sygnału sinusoidalnego jest w tym przypadku równa opóźnieniu odpowiedzi na sygnał skoku jednostkowego

(5.164)

^reb--- t_eb

CO_eb

Stała czasowa warstwy zaporowej złącza baza-kolektor

Złącze baza-kolektor wnosi opóźnienie i osłabienie sygnału w- zakresie dużych częstotliwości wskutek dwu zjawisk: