333 (44)

- 333

Częstotliwości graniczne tranzystora, bipolarnego

Przedstawmy również kilka praktycznie przydatnych przybliżeń związku (5.185). Jeżeli przyjmiemy m_bc = O (pomija się wpływ nadmiaru fazy, wnoszonego przez przelot nośników w warstwie zaporowej złącza B-C), to na podstawie (5.174)

m = m_b

Mg

oh

m_b

Tb___

^reb + T_b +T_bc

(5.187)

przy czym m_b jest określone wzorom (5.156).

Często można przyjąć, że r_b $> r_eb + r_be, zatem m & m_b i wówczas: — dla tranzystora dryftowego

(5.188)

,    ^    ¹ °h

^f 1,2+0,lł? p

— dla tranzystora bezdryftowego

CO„

«0»O,82—    (5.189)

Jeżeli w ogóle pominie się poprawkę fazową (m = 0), to

(5.190)

Przytoczone wzory (5.188) do (5.190) wyrażają bardzo ważny fakt, że częstotliwość graniczna w układzie WE jest około /? razy mniejsza niż w układzie WB. Nie jest to zaskakujący wniosek, jeżeli zauważymy na rys. 5.67, że przesunięcie fazowe między prądem kolektora i emitera pojawia się przy wartościach częstotliwości znacznie mniejszych niż co_a. Faza funkcji a (jen) zmienia się znacznie „wcześniej” (przy mniejszych częstotliwościach) niż jej moduł. Ponieważ suma trzech prądów w tranzystorze jest zawsze równa zeru, zatem przesunięcie fazowe między prądem kolektora i emitera prowadzi do wzrostu prądu bazy (w sensie fizycznym jest to prąd ładowania pojemności dyfuzyjnej bazy), czyli do zmniejszenia modułu współczynnika /?(jco). Tę sytuację ilustruje wykres wektorowy trzech prądów (rys. 5.69) przykładowo dla pulsacji co = 0,2ca_a, przy której

a(jco) « a

<p = 10°

Rys. 5.69

Wykres wektorowy trzech prądów