341 (28)

- 341

Technologia i konstrukcja tranzystorów bipolarnych

Należy zauważyć, że g_b-_c można również wyznaczyć na podstawie pomiaru roz-warciowej konduktancji wyjściowej w układzie WB

toc = h_22b    (5.217)

Parametr g_ce można wyznaczyć na podstawie pomiarurozwarciowej konduktancji wyjściowej h_22e

g_ce = h_22e    (5.218)

Ponieważ

= (P+l)h_22b * fih_22b    (5.219)

uwzględniając zatem (5.217), (5.216)

9ce &fab-c «/ufir_ra    (5.220)

Pojemność G_b-_C wyznacza się na podstawie pomiaru pojemności wyjściowej C_22b w układzie WB przy rozwartym wejściu. Jeżeli jest spełniony warunek to

G_b-_C w C_22i    (5.221)

W przypadku podziału pojemności G_b'_c na dwie składowe rozdzielone rezystancją r_bb-:

G_bc = (1 -k)C_22b    (5.222)

C„'_C = kC_22b    (5.223)

przy czym k — współczynnik dobierany eksperymentalnie.

Pojemność C_b._e wyznacza się z pulsacji granicznej co_T. Na podstawie (5.207)

C_Ve=^--C_Vc    (5.224)

W ten sposób określono metody -wyznaczania wszystkich parametrów modelu „hybryd tc” dla konfiguracji WE. Otrzymane wyrażenia zestawiono w tabl. 5.4.

Wybrane zagadnienia technologii i konstrukcji tranzystorów bipolarnych    5.12

W rozwoju technologii i konstrukcji tranzystorów bipolarnych najwięcej uwagi poświęcono trzem problemom:

—    poprawie niezawodności,

—    zwiększeniu częstotliwości granicznej,

—    zwiększeniu maksymalnej mocy rozpraszanej.

Zagadnienie niezawodności elementów półprzewodnikowych nie będzie rozpatrywane; trzeba tylko zwrócić uwagę, że łączy się ono głównie ze zjawiskami fizycznymi, zachodzącymi na powierzchni półprzewodnika, jakością mikromontażu i obudowy. Nie-wątpliwie przełomowym wydarzeniem w tym aspekcie było wykorzystanie warstwy Si0₂ do pasywacji powierzchni krzemu (technologia planarna).