347 (23)

- 347

Technologia i konstrukcja tranzystorów bipolarnych,

Rys. 5.75

Wykres zależności P_a(T_c) (a); sohemat elektryczny równoważny wyrażeniom (5.229) i (5.230)

(b)

dowa);    — tzw. własny opór cieplny, czyli opór cieplny na drodze od

struktury półprzewodnikowej do zewnętrznych ścianek obudowy.

Temperatura T_Jmax wynosi dla krzemu 150...200°C (jest to temperatura, przy której koncentracja nośników samoistnych staje się porównywalna z koncentracją, domieszek, czyli jest ona tym większa, im większa jest szerokość pasma zabronionego półprzewodnika i koncentracja domieszek). Jeżeli zapewni się temperaturę obudowy równą temperaturze otoczenia (ok. 20°C), to ze wzoru (5.229) uzyska się P_a x 10 W przy R_thj__c « 15°C/W. Ponieważ istnieje pewien opór cieplny między obudową a otoczeniom (oznaczymy go R_thc__a), zatem w rzeczywistości moc admisyjna jest mniejsza

T- —T

p_a = ^J 7    (5.230)

Rfh

przy czym: T_a — temperatura otoczenia (indeks a od ang. ambient); R_th — całkowity opór cieplny równy (R_thj-c+^_lhc__a).

Zwykle jednak korzysta się ze wzoru (5.229) z uwagi na trudności w- wyznaczaniu oporu R,hc~a- Dąży się przy tym, by T_c x T_a, co uzyskuje się przez stosowanie radia-

Rys. 5.76

Typowe obudowy tranzystorów mocy