390 (18)

- 390

Tranzystory połowę

Uwzględniając zależność na U_FB otrzymuje się napięcie progowe w postaci

U _T = cpms—+2ę?_F—    (6.64)

przy czym ładunek Q_a można wyznaczyć posługując się zależnością znaną z teorii złącza p-n

Qb — (2e_sguV_D "2ę?_f)'/²    (6.65)

Na rysunku 6.25c przedstawiono sytuację dla |(/_GS| > |Ł7_r|. Ponieważ bardzo małe przyrosty potencjału powierzchniowego powodują duże przyrosty ładunku kanału (zależność wykładnicza), zatem — praktycznie biorąc — cały przyrost napięcia |C7_GS| powyżej wartości |Z7_T| odkłada się na dielektryku, a (p_s pozostaje niemal stałe i równe 2cp_F. Można zatem napisać proste wyrażenie na ładunek kanału

Qc = C_g(U_GS-U_T)    (6.66)

przy czym G_g = C\ZL — pojemność kondensatora, którego okładki stanowi kanał i elektroda bramki.

Ponieważ Q_c zależy liniowo od napięcia U_GS, prąd drenu jest również liniową funkcją napięcia U_GS (przy U_DS 0).

Wyrażenie na charakterystykę przejściową dla dowolnych wartości napięcia U_DS otrzymamy w analizie ilościowej (p. 6.3.2).

Charakterystyka wyjściowa    6.3.1.3

Jeżeli napięcie drenu U_DS jest małe w porównaniu z napięciem bramki U_GS, to kanał spełnia, funkcję rezystora liniowego, łączącego źródło z drenem (rys. 6.26a i odpowiadający' mu punkt a na charakterystyce /_D(t/_DS)). W tym zakresie

|Ł/_ssj>jt/_r| g<j> Obszar zubożonij\

osj^-l^o saf |

KsM^rl

M>|W|

b) S    G    0

/Obszar zubożony

Rys. 6.26

Schematyczne ilustracje stanów w tranzystorze MIS, objaśniające przebieg charakterystyki wyjściowej: a) zakres nienasycenia; b) odcięcie kanału; c) zakres nasycenia; d) charakterystyka I_D{U_DS)