403 (11)

Tranzystor MIIS

- 403

Rys. 6.36

Schemat zastępczy tranzystora MIS dla małych sygnałów dużej częstotliwości: a) uproszczony; b) dokładny; c) przekrój struktury tranzystora, na którym pokazano elementy schematu zastępczego

W zakresie bardzo dużych częstotliwości stosuje się model przedstawiony na rys. 6.36b. W celu fizycznej interpretacji tego modelu zamieszczono ilustrację schematyczną przekroju tranzystora MIS (rys. 6.36c) ze wskazaniem umiejscowienia poszczególnych elementów tego modelu.

Częstotliwość graniczną idealnego tranzystora MIS wyznacza się w taki sam sposób jak dla tranzystora PNFET

{Im

2nO_H

y*\Ugs~ Ut\ ~ 2tzL²

(6.95)

W tranzystorze rzeczywistym częstotliwość graniczna jest mniejsza, niż wynika z tej zależności, gdy istotny wpływ mają pojemności zewnętrzne (C_gse, C^_e).

Tranzystory MESFET    6.4

Tranzystory MESFET z arsenku galu, produkowane na świecie od 1968 r.¹', w ostatnich kilku latach zdobyły trwałą pozycję jako elementy wzmacniające w zakresie częstotliwości kilku do kilkunastu gigaherców. Schematyczny przekrój tranzystora MESFET przedstawiono na rys. 6.37. Na półizolacyjnym podłożu (prawie samoistnym arsenku galu) jest wytwarzana warstwa epitaksjalna

Au Ge Au

⁷Bariera \ Warstwa ( hottky'ego \zubożona)

Warstwa

epitaksjalna

Rys. 6.37

Schematyczna ilustraoja budowy tranzystora MESFET z arsenku galu

Podłoże pólizolacyjne

¹¹ Pierwszym wytwórcą tych tranzystorów była firma IBM, a obecnie są one wytwarzane głównie w firmach: IBM, Hewlett Packard, Plessey, Watkins-Johnson.

26‘