DSCN0435 (Large)

Rys. 2.5. Przykładowe sterowniki bipolarnych tranzystorów mocy dla prądów: poniżej 1A (a) i z inwerterem cyfrowym i stopniem mocy w układzie Darlingtona (b)

—    Łączny prąd obciążenia wszystkich wyjść mikroprocesora nie może przekroczyć wartości granicznej podanej w danych katalogowych (np. 80 mA dla 89C205U

—    Każdy mikroprocesor ma zdefiniowany stan logiczny wyjść w czasie trwania impulsu zerującego. Układ powinien być tak zaprojektowany, aby w czasie zerom* nia tranzystory mocy nie byty wysterowane.

Układy sterujące muszą być dobrane do typu tranzystora — bipolarny lub MOSFET Tranzystor bipolarny — tranzystory mocy mają mały współczynnik wzmocnienia prądowego (np. 20...50 przy I_c — 2 A), co wymaga zapewnienia dość dużego prądu bazy. Dla wprowadzenia tranzystora w stan głębokiego nasycenia może być konieczny prąd bazy o wartości 100...200 mA. Najprostsze układy sterowania przedstawiono na rysunku 2.5. Układ z rysunku 2.5a nadaje się tylko do prądów poniżej 1 A ze względu na duże straty mocy w rezystorze R2. Układ z tranzystorem Darlingtona (rysunek 2.5b) ma małe straty w obwodzie sterowania, ale moc tracona w tranzystorze wyjściowym wynosi 2V - 3A = 6W.