Laboratorium Instalacji I Oświetlenia, Badanie selenowego ogniwa fotoelektrycznego v4, POLITECHNIKA LUBELSKA


POLITECHNIKA LUBELSKA

WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY

LABORATORIUM OŚWIETLENIA

Ćwiczenie nr:1

Temat: Badanie selenowego ogniwa fotoelektrycznego.

Grupa:ED 7.1 data wykonania:

Marcin Pietroń 22.01.1999

Wojciech Portka

Leszek Koza

1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest zbadanie zależności prądu fotoelektrycznego od kąta padania światła na powierzchnię ogniwa, zależności prądu fotoelektrycznego od natężenia oświetlenia na ogniwie przy różnych opornościach zewnętrznych.

2. Badanie zależności prądu fotoelektrycznego od natężenia oświetlenia na ogniwie dla różnych oporności zewnętrznych obwodu ogniwa.

schemat układu pomiarowego:

0x08 graphic
0x08 graphic
tabela pomiarów i obliczeń:

Wzorzec światłości: I=3500cd, Φ=43983lm, U=220V

Oporność wewnętrzna mikroamperomierza: Ra=36Ω

E[lx]

r[m]

Rz=200Ω

Rb=250Ω

Rs=164Ω

Rz=1000Ω

Rb=1250Ω

Rs=964Ω

Rz=5000Ω

Rb=6250Ω

Rs=4964Ω

I[dz]

I[dz]

I[dz]

400

2.96

17.00

12.00

5.00

500

2.65

20.50

14.00

5.50

600

2.41

24.00

16.00

6.00

700

2.24

27.00

18.00

6.00

800

2.09

31.00

19.50

6.50

900

1.97

34.00

21.00

7.00

1000

1.87

36.50

22.00

7.00

2000

1.32

59.50

32.00

8.50

3000

1.08

73.00

36.00

9.00

4000

0.94

82.50

39.00

10.00

5000

0.83

90.50

41.50

10.50

6000

0.76

97.50

43.00

11.00

7000

0.70

103.00

44.50

11.00

8000

0.66

108.50

45.50

11.50

9000

0.61

113.00

47.00

11.80

10000

0.59

116.50

48.00

12.00

0x01 graphic

Charakterystyki I=f(E) dla różnych oporów zewnętrznych ogniwa.

3. Badanie zależności prądu fotoelektrycznego od kąta padania światła na powierzchnię ogniwa.

Schemat układu pomiarowego jak dla punktu poprzedniego.

tabela pomiarów:

Wzorzec światłości: Iw=3500 cd, U=220V, Φ=43983 lm

Natężenie oświetlenia na ogniwie: E=3500 lx, odległość l=100cm

Kąt padania światła

Bez nasadki korekcyjnej

Z nasadką korekcyjną

Zmiana kierunku padania strumienia świetlnego w lewo:

α[o]

I[dz]

I[dz]

I/Iα=0

0

108.0

1.00

44.0

1.00

10

101.5

0.94

42.0

0.95

20

97.0

0.90

41.0

0.93

30

91.5

0.85

39.5

0.90

40

85.0

0.79

33.0

0.75

50

74.5

0.69

29.0

0.66

60

59.0

0.55

25.0

0.57

70

41.0

0.38

18.0

0.41

80

15.0

0.14

5.0

0.11

90

0.0

0.00

0.0

0.0

Zmiana kierunku padania strumienia świetlnego w prawo:

10

99.5

0.92

40.0

0.91

20

98.0

0.91

39.0

0.89

30

95.0

0.88

38.0

0.86

40

91.0

0.84

35.0

0.80

50

86.0

0.80

33.0

0.75

60

73.0

0.68

28.0

0.64

70

55.0

0.51

20.0

0.45

80

29.5

0.27

9.0

0.20

90

0.0

0.00

0.00

0.00

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

Charakterystyka I/Iα=0=f(α) bez nasadki korekcyjnej.

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

Charakterystyka I/Iα=0=f(α) z nasadką korekcyjną.

4. Wnioski:

W zależności od wartości rezystancji zewnętrznej Rz prąd fotokomórki ma różną wartość dla tego samego natężenia oświetlenia E. Im wartość Rz jest mniejsza tym charakterystyki prądowe załamują się dla większej wartpści produ, oraz przebiegają bliżej osi natężenia prądu.

Podczas pomiarów wartości fotoprądu w zależności od kąta obrotu fotokomórki widać, że wraz ze wzrostem kąta obrotu prąd maleje, przy czym ma on wartość około dwukrotnie mniejsza niż wartości prądów otrzymane z pomiarów z nasadką korekcyjną.

Również w zależności od odległości fotokomórki od żródła światła zmienia się natężenie oświetlenia, a co za tym idzie i wartość prądu fotokomórki.

α

I/Iα=0 Wnioski:

W zależności od wartości rezystancji zewnętrznej Rz prąd fotokomórki ma różną wartość dla tego samego natężenia oświetlenia E. Im wartość Rz jest mniejsza tym charakterystyki prądowe wcześniej się załamują i przebiegają bliżej osi natężenia oświetlenia E.

Podczas pomiarów wartości fotoprądu w zależności od kąta obrotu fotokomórki widać, że wraz ze wzrostem kąta obrotu prąd maleje, przy czym ma on nieznacznie mniejszą wartość dla pomiarów z nasadką korekcyjną. W związku z tym ,że fotokomórka nie była ustawiona idealnie w osi ze żródłem dla obrotu w prawo przy kącie 900 prąd jest różny od zera.

Również w zależności od odległości fotokomórki od żródła światła zmienia się natężenie oświetlenia, a co za tym idzie i wartość prądu fotokomórki.

I/Iα=0 Wnioski:

W zależności od wartości rezystancji zewnętrznej Rz prąd fotokomórki ma różną wartość dla tego samego natężenia oświetlenia E. Im wartość Rz jest mniejsza tym charakterystyki prądowe wcześniej się załamują i przebiegają bliżej osi natężenia oświetlenia E.

Podczas pomiarów wartości fotoprądu w zależności od kąta obrotu fotokomórki widać, że wraz ze wzrostem kąta obrotu prąd maleje, przy czym ma on nieznacznie mniejszą wartość dla pomiarów z nasadką korekcyjną. W związku z tym ,że fotokomórka nie była ustawiona idealnie w osi ze żródłem dla obrotu w prawo przy kącie 900 prąd jest różny od zera.

Również w zależności od odległości fotokomórki od żródła światła zmienia się natężenie oświetlenia, a co za tym idzie i wartość prądu fotokomórki.

α

S

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Instalacji I Oświetlenia, Badanie selenowego ogniwa fotoelektrycznego v3, Politechnika
Laboratorium Instalacji I Oświetlenia, Badanie selenowego ogniwa fotoelektrycznego v5, POLITECHNIKA
Badanie selenowego ogniwa fotoelektrycznego v4, SPRAWOZDANIA czyjeś
Badanie selenowego ogniwa fotoelektrycznego v2, Laboratorium Instalacji I Oświetlenia
Laboratorium Instalacji I Oświetlenia, Badanie lamp, Laboratorium oświetlenia i instalacji elektrycz
Badanie selenowego ogniwa fotoelektrycznego v5, SPRAWOZDANIA czyjeś
Badanie selenowego ogniwa fotoelektrycznego 1 konio
Laboratorium Instalacji I Oświetlenia, Badanie bezpieczników instalacyjnych oraz wyłączników, POLITE
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v4, Politechnika Lubelska
Badanie kabla wysokiego napięcia v4, POLITECHNIKA LUBELSKA
Badanie kabla wysokiego napięcia v4, POLITECHNIKA LUBELSKA
Laboratorium urządzeń elektrycznych, Badanie wyłącznika typu APU - 15, POLITECHNIKA LUBELSKA
Badanie charakterystyk statycznych tranzystora v4, Politechnika Lubelska
Badanie właściwości impulsowych tranzystora v4, POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE
Laboratorium Instalacji I Oświetlenia, Pomiary natężenia oświetlenia i luminancji v2, Celem ćwiczeni

więcej podobnych podstron