68756

złączami, czyli bazy jest mała w porównaniu z długością drogi nośników większościowych emitera. Wówczas własności złącz są wzajemnie zależne. Pizy zbyt oddalonych złączach układ zachowywałby się jak dwie diody. Ponadto obszar emitera zawiera o kilka rzędów więcej nośników większościowych niż obszar bazy.

Działanie tranzystorów n-p-n oraz p-n-p jest podobne. Różnią się one tym, że w tranzystorach n-p-n nośnikami ładunku elektrycznego przepływającego przez bazę są elektrony, natomiast w tranzystorach p-n-p - dziury. Zasadę działania tranzystora omówimy na przykładzie typu n-p-n. Pod wpływem napięcia dostarczanego z baterii zasilającej obwód emitera, włączonego w kierunku przewodzenia, przez złącze n-p przepływa strumień elektronów, które tworzą prąd emitera o natężeniu I_e. Dzięki bardzo małej grubości bazy prawie wszystkie elektrony przepływające z emitera do bazy dostają się w obręb silnego pola drugiego złącza i przepływają do kolektora, tworząc prąd kolektorowy o natężeniu I_c. Jedynie nieznaczna ich część, około 2% rekombinuje z większościowymi nośnikami bazy. Możemy, więc napisać l_e-l_c. Jeżeli dodatkowo do obwodu emitera dołączymy źródło zmieruiego napięcia, wówczas następuje zmiana prądu emitera, która wywołuje zmianę prądu kolektora. Oznaczmy znuanę prądu emitera przez AI_e, a wywołaną przez nią zmianę prądu kolektora przez AI_C . Zmiana napięcia na złączu emiter - baza

AU be ~ AI_eRbe

gdzie:    - opór elektryczny emiter - baza w kierunku przewodzenia.

Natomiast zmiana napięcia na złączu kolektorowym:

AUbc = AI_cRbc gdzie: R^ - opór elektryczny złącza kolektor-baza dla kierunku zaporowego.

Współczynnik wzmocnienia napięcia, który oznaczamy przez k_v definiujemy następująco:

(1)

. AUbc Rbc

kjj =-—«

AUbe Rbe

Opór elektryczny złącza kolektor - baza w kierunku zaporowym jest znacznie większy od oporu złącza emiter - baza w kierunku przewodzerua. Zatem współczynnik wzmocnienia napięcia jest wielokrotnie większy od jedności.

Oprócz układu ze wspólną bazą stosuje się układy ze wspólnym emiterem i kolektorem (rys. 3).

a) emiterem

b) kolektorem

U

Rys. 3. Schemat podłączenia tranzystora do obwodu ze wspólnym: a) emiterem, b) kolektorem

2