02 6, SPR EL. 2 HJ


POLITECHNIKA LUBELSKA

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

ĆWICZENIE NR 2

TEMAT: BADANIE WŁAŚCIWOŚCI IMPULSOWYCH

TRANZYSTORÓW.

GRUPA DZIEKAŃSKA 4.1

WYKONALI:

Palak Mariusz

LUBLIN 7.04.1997

1. Określenie punktu pracy tranzystora w stanach granicznych

charakterystyk statycznych.

A). Schemat układu pomiarowego.

0x01 graphic

B). Wyniki pomiarów.

k

IB

U

[-]

[mA]

[V]

1

0,12

0,49

2

0,24

0,89

4

0,48

1,08

8

0,96

3,17

16

1,92

4,64

Icmax=Ec/Rc=11V/1,5kohm=7,3mA

Ibmin=0,12mA

Bn=Icmax/Ibmin=7,3mA/0,12mA=60,8

2. Praca tranzystora w układzie przełączającym.

A). Schemat układu pomiarowego.

0x01 graphic

B). Wyniki pomiarów.

k

U

tp

tn

td

to

[-]

[V]

[ms]

[ms]

[ms]

[ms]

1

0,5

0

0,18

0

0,11

2

1

0

0,185

0,01

0,13

4

1,7

0,012

0,0375

0,02

0,15

8

3,2

0,028

0,016

0,08

0,12

16

4,5

0,036

0,01

0,1

0,12

3. Badanie wpływu korekcji układu na parametry przebiegu

wyjściowego.

A). Schemat układu pomiarowego.

0x01 graphic

B). Wyniki pomiarów.

C

k

td

tn

tp

to

[pF]

[-]

[ms]

[ms]

[ms]

[ms]

100

1

0

0,07

0

0,036

100

2

0

0,072

0

0,06

100

4

0

0,014

0,004

0,032

100

8

0

0,004

0,008

0,016

100

16

0

0,004

0,01

0,012

500

1

0

0,05

0

0,03

500

2

0

0,025

0

0,025

500

4

0

0,012

0,004

0,014

500

8

0

0,006

0,008

0,008

500

16

0

0,004

0,009

0,008

4.Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu polaryzacji zaporowej bazy.

A.Wyznaczanie wartości prądu wejściowego obwodu sterującego na granicy nasycenia tranzystorowego

I=0,1mA

Uwe=1,5V

B.Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości.

Kf

Iwe

Uz

-

mA

V

1

0,1

1,5

2

0,2

1,83

4

0,4

2,55

8

0,8

3,87

16

1,6

6,57

C.Wyznaczanie wartości czasów przełączania

Tabela pomiarowa

k

U

td

tn

tp

to

-

V

ms

ms

ms

ms

1

1,5

0

0

0

0

2

1,83

0

0,04

0

0,002

4

2,55

0

0,175

0

0,008

8

3,87

0

0,03

0,008

0,018

16

6,57

0

0,012

0,008

0,018

5. Wnioski:

Podczas wykonywania ćwiczenia badaliśmy właściwości tranzystora w układzie kluczującym. Na ekranie oscyloskopu można było zauważyć trzy charakterystyczne parametry impulsu wyjściowego :czas narastania, czas opadania i czas opóźnienia

(czas przeciągania był niemierzalny).

Czasy te zależą od pojemności przyspieszającej i stopnia przesterowania tranzystora. Z wykresów można zauważyć,

że czasy te maleją wraz ze wzrostem tej pojemności. Pojemność

ta powoduje także ustalenie się czasu przeciągania na stałej

(prawie niemierzalnej) wartości.

Podczas badania zachowania się tranzystora pod wpływem działania polaryzacji zaporowej i porównując z zachowaniem się tranzystora bez takiej polaryzacji zauważamy zmniejszenie się wartości , większości czasów.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Ćw.3 -Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających, SPR EL. 3 HJ
Wykresy do spr 2 el i el
spr el 5
spr el 7
spr el 6
Spr el RLC
Wykresy do spr 2 el i el
MB spr 02, Budownictwo, Semestr 3, Materialy budowlane
urzadzenia el. spr 6 7, PWR, MATERIAŁY PWR, LABOLATORIA, URZĄDZENIA ELEKTRYCZNE
Laboratorium Pomiarów Elektrycznych spr 4, PWR, MIERNICTWO EL. - LABOLATORIUM
el.6, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. Laboratorium, 02. Tran
spr HTML 02
asd-kolosy-sprawdziany1-2-3 SPR 1 test 02
Laboratorium Pomiarów Elektrycznych spr 2, PWR, MIERNICTWO EL. - LABOLATORIUM
13 02 13 las converciones por el Reino? Dios
el=trans, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. Laboratorium, 02.
064 rozp min gos pra i pol spol w spr zasadn wymagan w zakresie zuzycia energii el przez sprzet chl

więcej podobnych podstron