PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W ELBLĄGU INSTYTUT INFORMATYKI STOSOWANEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI I MIERNICTWA
Grupa dziekańska/ podgrupa ćwiczeniowa: 2/3	Tytuł ćwiczenia: Wzmacniacz tranzystorowy sygnałów w układzie WE.
Skład grupy: 1. Michał Ridinger 2. Tomasz Konkel 3. Mateusz Rawa 4. Mariusz Hopa	Data wykonania /data oddania: 5.04.2004/19.04.2004
		Ocena:

1.Schematy obwodów (R₁ = 100Ω, R₂ = 10Ω).

Rys.1.Schemat układu do wyznaczania charakterystyki wejściowej.

Rys.2.Schemat układu do wyznaczania charakterystyki wyjściowej.

Rys.3.Schemat układu do wyznaczania charakterystyki przejściowej.

2. Wykaz i dane znamionowe elementów i przyrządów.

Tranzystor 2N3055 100V 15A 117W

Zasilacz stabilizowany Parrot Electron HY3010

Rezystor suwakowy 1,6A 105Ω IP 00

Rezystor dekadowy 10V 4 · 7Ω J

Amperomierz MX-503 200mA DC

Amperomierz MX-503 20mA DC

Woltomierz MX-503 2000mV DC

Woltomierz MX-503 20V DC

3. Tablice wyników pomiarów.

Lp.	UBE(V1)	UCE(V2)	IB(A!)
		[mV]	[V]	[mA]
1	600	2	1,1
2	700			4,7
3	800			10
4	900			46,2
5	1000			100,3

Tab.1.Wyniki pomiarów charakterystyki

wejściowej.

Lp.	UBE(V1)	I­B(A1)	UCE(V2)	Ic(A2)	IE(A3)	h21E	h22E
		[mV]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[-]	[-]
1	650	1,6	2	31,8	33,3	19,9	15,9
2					4	32,3	33,8	20,2	8,1
3					6	33	34,4	20,6	5,5
4					8	33,6	35	21,0	4,2
5					10	34,3	35,8	21,4	3,4
6			700	2,4	2	59,9	62,3	25,0	30,0
7					4	60,7	63	25,3	15,2
8					6	61,8	64	25,8	10,3
9					8	63,8	66	26,6	8,0
10					10	65,4	67,5	27,3	6,5
11			750	3,1	2	94,4	97,6	30,5	47,2
12					4	96,1	99,2	31,0	24,0
13					6	97,9	100,9	31,6	16,3
14					8	100,2	103,4	32,3	12,5
15					10	102,3	105,2	33,0	10,2

Tab.2.Wyniki pomiarów charakterystyki wyjściowej.

Lp.	U1	IB(A1)	IC(A2)	h21E
		[V]	[mA]	[mA]	[-]
1	10	0,5	4,2	8,4
2			1	15,5	15,5
3			1,5	32,8	21,9
4			2	50,5	25,3
5			2,5	73,4	29,4
6		20	0,5	5,1	10,2
7			1	17,3	17,3
8			1,5	33,9	22,6
9			2	57	28,5
10			2,5	80,6	32,2
11		30	0,5	5,7	11,4
12			1	17,7	17,7
13			1,5	37,6	25,1
14			2	60,6	30,3
15			2,5	88,5	35,4

Tab.3.Wyniki pomiarów charakterystyki

przejściowej.

4. Przykładowy przebieg obliczeń wielkości szukanych.

5. Charakterystyki statyczne.

Charakterystyka wejściowa. Charakterystyka wyjściowa.

6. Wnioski.

Charakterystyki wejściowe wyszły w miarę zbliżone do rzeczywistych, wraz ze wzrostem prądu I_B rośnie wartość napięcia U_BE ( w początkowym zakresie bardzo szybko).

Charakterystyki przejściowe są prawie liniowe w przedziale wartości I_B od 0 ÷ 2 [mA],

oraz I_C 0 ÷ 50-60 [mA] , i też powinny być brane pod uwagę tylko w tym zakresie, ponieważ powyżej tych wartości przekraczamy P_max pracy tranzystora.

W tym przypadku w podanych wyżej zakresach charakterystyki te odpowiadają charakterystykom rzeczywistym w sposób przybliżony - jednak wystarczająco dokładny - można na ich podstawie zauważyć prawidłowość że I_C>>I_B ,czyli niewielkim zmianom I_B odpowiadają duże zmiany I_C.

Natomiast powyżej tych wartości prądów, prąd kolektora I_C przestaje już tak szybko rosnąć

mimo że przyrost prądu bazy jest znacznie większy niż w podanym zakresie.

Charakterystyki wyjściowe wyszły w miarę zbliżone do rzeczywistych charakterystyk tranzystora. Poprawnie została tu uchwycona zależność prądu kolektora od napięcia U_CE (tzn. wzrost U_CE powoduje wzrost I_C aż do nasycenia się kolektora - wtedy charakterystyki wznoszą się już nieznacznie mimo dużego wzrostu napięcia U_CE). Poza tym można zauważyć, że niewielkie zmiany napięcia baza-emiter U_BE powodują duże zmiany w prądzie kolektora I_C.

Ube = 700mV

Ube = 650mV

Ube = 750mV

Uce = 2V

Ube = 10V

Ube = 20V

Ube = 30V

---