TR POL~1, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA


POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA

LABORATORIUM PODSTAW Elektroniki

Numer ćwiczenia:

3

Temat ćwiczenia:

Badanie tranzystorów polowych.

Zespół:

Marcin Zuchowicz

Marcin Pawlak

Mariusz Nartowski

Data wykonania:

22.10.1997

Data oddania do sprawdzenia:

29.10.1997

Ocena:

1. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora polowego: ID=ID(UGS)|UDS=const; ID=ID(UDS)|UGS=const oraz na podstawie charakterystyk, sprawdzenie słuszności wzoru:

W oparciu o definicję obliczyć należy wartości gm oraz rd w wybranym punkcie pracy za pomocą metody graficznej.

2. Schemat pomiarowy.

Rys. 1. Układ do pomiaru statycznych charakterystyk tranzystora polowego złączowego z kanałem typu n.

2. Tabelaryczne zestawienie wyników pomiarów.

UDS = 2 V

UDS = 10 V

UGS = 0 V

UGS = -1 V

UGS = 0.5 V

UGS

ID

UGS

ID

UDS

ID

UDS

ID

UDS

ID

V

mA

V

mA

V

mA

V

mA

V

mA

-0,003

3,57

-0,003

3,59

0,01

0,03

0,006

0,04

0,01

0,03

-0,081

3,27

-0,05

3,4

0,11

0,38

0,0043

0,07

0,042

0,18

-0,2

2,87

-0,082

3,29

0,21

0,71

0,15

0,22

0,062

0,29

-0,41

2,21

-0,2

2,87

0,34

1,13

0,25

0,32

0,072

0,34

-0,6

1,7

-0,3

2,65

0,5

1,55

0,37

0,41

0,1

0,47

-0,8

1,12

-0,4

2,33

0,7

2,02

0,5

0,5

0,15

0,75

-1

0,74

-0,52

1,9

0,9

2,42

0,7

0,57

0,2

0,96

-1,2

0,41

-0,63

1,58

1

2,6

0,9

0,61

0,25

1,17

-1,43

0,15

-0,78

1,22

1,2

2,84

1

0,63

0,35

1,6

-1,65

0,06

-0,93

0,9

1,5

3,1

1,2

0,65

0,5

2,24

-2

0,03

-1,1

0,59

2

3,33

1,5

0,66

0,7

2,93

-1,4

0,19

2,5

3,43

2

0,68

1

3,75

-1,46

0,14

3,51

3,51

3,5

0,7

1,2

4,17

-1,72

0,05

5

3,56

5

0,71

1,5

4,66

-1,88

0,03

7

3,59

7

0,73

2

5,2

-2

0,03

10

3,61

10

0,74

2,5

5,44

15

3,61

15

0,76

3,5

5,62

5

5,7

7

5,7

10

5,7

15

5,7

3.Charakterystyki pomiarowe:

0x01 graphic

4. Sprawdzenie słuszności wzoru na ID.

ID prąd drenu [mA]

IDSS maksymalna wartość prądu drenu [mA]

UGS napięcie bramka-źródło [V]

Up napięcie odcięcia [V]

Dla UDS = 2 V Dla UDS = 10 V

IDSS = 3.32 mA IDSS = 3.59 mA

Up = -2 V Up = -2 V

UGS

ID obl.

ID zm.

UGS

ID obl.

ID zm.

V

mA

mA

V

mA

mA

-0.003

3.31

3.32

-0.003

3.57

3.59

-0.08

3.06

3.08

-0.082

3.3

3.29

-0.14

2.87

2.73

-0.2

2.9

2.87

-0.25

2.54

2.53

-0.4

2.3

2.33

-0.31

2.37

2.39

-0.52

1.96

1.9

-0.51

1.84

1.81

-0.78

1.33

1.22

-0.72

1.35

1.27

-0.93

1.02

0.9

-0.9

1

0.9

-1.1

0.72

0.59

-1.2

0.53

0.4

-1.4

0.32

0.19

-1.5

0.2

0.09

-1.72

0.07

0.05

-2

0

0.03

-2

0

0.03

5. Obliczanie wartości gm i rd w wybranym punkcie pracy przy wykorzystaniu metody graficznej.

a) transkonduktancja

Wyznaczanie transkonduktancji gm z charakterystyki

dla UDS = 2 V

dla UDS = 5 V

dla UDS = 10 V

b) rezystancja drenu

Wyznaczanie rezystancji drenu z charakterystyki

dla UGS = 0.5 V

dla UGS = 0 V

dla UGS = -1 V

6. Wnioski.

Z charakterystyka Id=Id(Ugs) wida*, że prąd drenu w miarę zwiększania napięcia Ugs wzrastał i przy wartości

Ugs=0V osiąga maksymalną wartoś* (Idss), natomiast z charakterystyki Id=Id(Uds) wynika, że prąd drenu

początkowo gwałtownie wzrasta w miarę zwiększania napięcia Uds a następnie stabilizuje się po

przekroczeniu określonego napięcia Uds.

Charakterystyki otrzymane w wyniku pomiarów są zgodne z rzeczywistymi charakterystykami tranzystora polowego. Została udowodniona też słuszność wzoru na prąd drenu. Obliczone wartości tego prądu oraz rzeczywiste uzyskane na drodze pomiarów są niemal identyczne. Jedynie w zakresie wyższych napięć ujawnia się pewna odchyłka, która spowodowana jest błędami przyrządów pomiarowych. Według nas największy błąd wnosił miliamperomierz, który w stanie jałowym, tzn. w takim gdy nie płynął przez niego prąd, dawał stale wskazanie 0.03 mA. Wyznaczone parametry gm i rd wynoszące odpowiednio gm = 2.5 mA/V, rd = 20 kW mieszczą się zakresie danych katalogowych (gm = 0.1~10 mA/V, rd = 0.1~1 MW).

RD

RG

mAA

V2

ZASILACZ

ZT 980-4M

V1

ZASILACZ

ZT 980-4M



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
FILT R~1, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA
EE pr 4 TR POL
POLITECHNIKA ŽWI¦TOKRZYSKA, Miernictwo Cyfrowe
TZMPOL, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA
MET25-~1, Politechnika Lubelska
TYRYST~1, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA
selsyn, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA W KIELCACH
LTM, LASER 7a, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA
BADANIE MASZYN ELEKTRYCZNYCH PRĄDU STAŁEGO, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA
TUTTURU1, Politechnika ˙wi˙tokrzyska
silnik pierťcieniowy, Politechnika ˙wi˙tokrzyska w Kielcach
CIECZE, pomiar naprezen stycznych w cieczy, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA WYDZIA˙ MECHANI
BADANI~3 3, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA
Pomiary wysokiego napięcia przemiennego, RAD1~1, POLITECHNIKA WROC˙AWSKA
BADANI~3 3, POLITECHNIKA ˙WI˙TOKRZYSKA
Pomiary wysokiego napięcia przemiennego, RAD1~1, POLITECHNIKA WROC˙AWSKA

więcej podobnych podstron